Литография в «жестком» ультрафиолетовом диапазоне (EUV) позволила исследователям создать, по их утверждению, первую в мире работоспособную память типа SRAM, используя 22-нм техпроцесс CMOS.
Ячейки памяти состоят из транзисторов FinFET. Два слоя в структуре чипа сформированы с применением экспериментальной версии оборудования для EUV-литографии производства компании ASML (первая иллюстрация).
++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++
На второй иллюстрации показан массив ячеек SRAM после завершения одного из этапов техпроцесса. Площадь одной ячейки составляет 0,099 мм2, что вдвое меньше, чем площадь такой же ячейки, изготовленной с соблюдением норм 32 нм.
В своей работе IMEC сотрудничает с Intel, Micron, Panasonic, Samsung, TSMC, Elpida, Hynix, Powerchip, Infineon, NXP, Qualcomm, Sony и STMicroelectronics.
+++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++
По материалам IMEC