В журнале Nature опубликована статья ученых, работающих в университете штата Техас, которым удалось разработать методику изготовления полевых транзисторов из силицена при комнатной температуре.
Графен, с которым связаны надежды на дальнейшее развитие электроники, имеет один большой недостаток — он не вписывается в существующие технологии. Фактически, задача «понять, как использовать графен» трансформировалась в задачу «изобрести все заново». Это побудило исследователей изучить другие материалы, состоящие из одного слоя атомов, чтобы найти похожий по свойствам, но более удобный для использования и производства. Результатом стал силицен — двумерное аллотропное соединение кремния.
Теоретическое обсуждение силицена началось раньше, но только в 2010 году удалось подтвердить его существование на практике. С тех пор ученые научились выращивать силицен, а расчеты помогли показать, что это материал может служить отличным материалом для изготовления полевых транзисторов. К достоинствам силицена относится потенциальная совместимость с существующим полупроводниковым производством, построенном на использовании кремния, а также относительно малая окисляемость кислородом и большая гибкость по сравнению с графеном.
В журнале Nature опубликована статья ученых, работающих в университете штата Техас, которым удалось разработать методику изготовления полевых транзисторов из силицена при комнатной температуре.
И хотя пока транзистор существует всего несколько минут, важна сама принципиальная возможность формирования необходимых структур. Исследователи намерен продолжать работы, в том числе, включив в сферу рассмотрения германен — материал, состоящий из одного слоя атомов германия и впервые полученный в лабораторных условиях только в прошлом году.
Источники: Cockrell School of Engineering, Nature