Новая серия мощных p-канальных MOSFET от IXYS


Компания IXYS анонсировала выпуск нового семейства p-канальных силовых MOSFET на напряжение от –100 до –600 В, которое дополняет семейство силовых n-канальных приборов.

Транзисторы изготовлены по фирменной PolarP™ технологии, позволяющей снизить потери проводимости на 30% и заряд затвора на 40%, что дает суммарный выигрыш как по постоянному току, так и в режиме переключений. Приборы имеют лучшие в отрасли позиции как по эффективности, так и по стоимости.

В состав семейства входят транзисторы с напряжением –100, –150, –200, –500 и –600 В и токами от –10 до –170 А. В настоящее время серийно выпускаются транзисторы IXTH52P10P, IXTYP3615P, IXTH26P20P и IXTH10P50 в корпусах TO-247, TO-3P, TO-220 и TO-263. Планируется выпуск приборов в корпусах ISOPLUS, которые обеспечивают изоляцию 2500 В при улучшенных тепловых характеристиках. В ближайшее время будут выпущены более мощные транзисторы и расширен список предлагаемых корпусов.

Транзисторы IXYS семейства PolarP могут найти применение в ключах инверторов, в силовых твердотельных реле, двухтактных (push-pull) усилительных каскадах, CMOS усилителях мощности, схемах чопперов, мощных токовых регуляторах и ключах в автомобильной электронике и тестовом оборудовании. Низкий уровень выбросов и «дребезга» при переключении позволяет использовать их в схемах управления двигателями и выключателях в различном энергосберегающем оборудовании.

Таблица выбора транзисторов здесь

Оставьте отзыв

Ваш емейл адрес не будет опубликован. Обязательные поля отмечены *