Вход |  Регистрация
 
 
Время электроники Понедельник, 15 октября
 
 
  • Обзоры, аналитика
  • Интервью, презентации
  • Магазин
  • Календарь событий
  • RSS - каналы
  • Журналы
  • Реклама на сайте
  • Контакты
  • Вакансии

  • Живая электроника России
  • Мероприятия медиагруппы «Электроника»


    Это интересно!

    Ранее

    Intel и Micron первыми перешагнули рубеж 40 нм в производстве флэш-памяти типа NAND MLC

    Компании Intel и Micron Technology представили первую в отрасли флэш-память типа NAND, изготовленную по нормам 34 нм.

    Скорость флэш-винчестеров выросла в 2 раза

    Компания Samsung анонсировала первый в своей линейке SSD-накопитель на 256 Гбит - вдвое большей емкости по сравнению с существующими продуктами Samsung. Новое устройство обладает рекордной на сегодняшний день скоростью работы: непрерывное чтение информации происходит со скоростью 200 Мбит/с, записи - 160 Мбит/с.

    Hynix и Micron от выпуска чипов переходят к выпуску карточек памяти

    Производители флэш-памяти типа NAND переходят от выпуска чипов к выпуску готовых продуктов, карточек памяти. Если верить отраслевым источникам, такой шаг решили сделать компании Hynix Semiconductor и Micron Technology.

  •  

    2 июня

    Первая фабрика по производству нанотрубок готова к выпуску продукции

    Углеродные нанотрубки готовы к коммерциализации, утверждает первая foundry, предлагая тонкопленочные нанотрубки fabless компаниям.

    К

    омпания Nantero Inc. (Woburn, Mass.) в сотрудничестве с SVTC Technologies (Austin, Texas) представила первые 8-дюймовые тонкопленочные нанотрубки для кремниевых мастерских. SVTC изготовила прототипы коммерческих схем памяти NRAM (nanotube-based random-access memory) на основе углеродных нанотрубок по технологии, разработанный Natero.

    Плотность NRAM в 20 раз превышает плотность самых современных флэш. Размер ячейки NRAM составляет 22 нм2 по сравнению с 100 нм2 для флэш памяти емкостью 16 Гбит. Современная литография позволяет создавать ячейки NRAM плотностью до 320 Гбит на чип. При использовании перспективных методов литографии возможно получение ячеек площадью до 5 нм2

    Углеродные нанотрубки могут деформироваться и касаться электродов (замыкать цепь), что соответствует логической «1» или выпрямляться (разрывать цепь), что соответствует  «0». Для создания на поверхности кристалла тонкой пленки из нанотрубок последние сначала сортируются и наносятся в монослой на кристалл.

    ====

    NRAM – энергонезависимая память с возможностью перезаписи, один из наиболее вероятных претендентов на роль так называемой универсальной памяти, объединяющей в себе свойства современной оперативной и флэш-памяти.

    Согласно некоторым оценкам, потенциал рынка быстродействующей энергонезависимой памяти с произвольным доступом («универсальной памяти») оценивается в 75 и даже $100 млрд. Предполагается, что после своего появления такая память быстро вытеснит используемую сейчас оперативную память и флэш-память из компьютеров, сотовых телефонов, проигрывателей MP3, цифровых камер, КПК и других устройств.

    Оцените материал:

    ee

    Комментарии

    0 / 0
    0 / 0

    Прокомментировать







     

     
     




    Rambler's Top100
    Руководителям  |  Разработчикам  |  Производителям  |  Снабженцам
    © 2007 - 2018 Издательский дом Электроника
    Использование любых бесплатных материалов разрешено, при условии наличия ссылки на сайт «Время электроники».
    Создание сайтаFractalla Design | Сделано на CMS DJEM ®
    Контакты