Вход |  Регистрация
 
 
Время электроники Четверг, 13 декабря
 
 
  • Обзоры, аналитика
  • Интервью, презентации
  • Магазин
  • Календарь событий
  • RSS - каналы
  • Журналы
  • Реклама на сайте
  • Контакты
  • Вакансии

  • Живая электроника России
  • Мероприятия медиагруппы «Электроника»

    Это интересно!

    Ранее

    Micron обозначила пути развития технологий NAND Flash

    На организованном ею мероприятии Memory Day в Тайбэе корпорация Micron представила собственный план развития технологий флэш-памяти NAND.

    Купит ли Seagate долю Intel в проекте по технологии NAND?

    Компания Seagate Technology намеревается купить долю Intel в совместном с Micron Technology предприятии по производству флэш памяти NAND.

    SanDisk и Toshiba займутся разработкой 3D-памяти

    Компании SanDisk и Toshiba, как сообщает PC World, заключили соглашение о сотрудничестве в области разработки так называемой трехмерной памяти (3D Memory).

  •  

    25 июня

    Миниатюрные 64 и 32 Мбит SRAM с малым потреблением от Renesas

    Компания Renesas Technology представила 64 Мбит и 32 Мбит SRAM из семейства Advanced LPSRAM (Low-Power SRAM) в миниатюрных корпусах.

    С

    ерия R1WV6416R включает в себя двенадцать схем памяти по 64 Мбит. Микросхемы выпускаются в корпусах TSOP I (48 выводов), μTSOP (52 выводов) и FBGA (48 шариковых выводов). Серия R1LV3216R содержит восемь схем памяти емкостью 32 Мбит, выпускающихся в корпусах TSOP I и μTSOP. Время доступа составляет 55 нс или 70 нс. Приборы предназначены для использования в промышленном и офисное оборудовании, потребительской электронике, автомобильных системах и оборудовании связи.

    Микросхемы Advanced LPSRAM используют стековую конденсаторную конфигурацию ячейки памяти, хорошо зарекомендовавшую себя в DRAM ячейках. Это позволяет избежать некоторых нежелательных эффектов, вызванных α-частицами или нейтронным излучением, а также паразитного тиристорного эффекта (эффект защелкивания).

    Занимаемая кристаллом площадь сокращается за счет использования вертикальных структур, когда конденсаторы размещаются в слое поверх транзисторов. Сами транзисторы также уложены в несколько слоев, причем верхний образован поликремневыми пленочными р-канальными транзисторами.

    Таким образом, представленные чипы R1LV3216R являются самыми миниатюрными среди 32 Мбит схем памяти с малым потреблением. Поставки образцов R1LV3216R начались в апреле, а R1WV6416R появятся в июле.

    Дополнительная информация здесь

    Renesas Technology Corp. - совместное предприятие Hitachi Ltd. и Mitsubishi Electric Corp., разрабатывает и производит высокоинтегрированные полупроводниковые приборы для мобильных приложений, сетей, автомобильной промышленности, а также для цифровой бытовой и промышленной электроники. Компания занимает первое место в мире по объему продаж микроконтроллеров, лидирует в поставках LCD драйверов, Smart Card контроллеров, RF микросхем, усилителей мощности, схем смешанных сигналов, систем на кристалле (SoC), систем в корпусе (SiP) и др.

    Начав свою деятельность 1 апреля 2003 г. как СП Hitachi Ltd. и Mitsubishi Electronics со штаб-квартирой в Токио (Япония), Renesas Technology сегодня представляет собой одну из самых крупных полупроводниковых компаний в мире, с центрами разработки, производства и торговыми представительствами почти в 20 станах мира, с числом служащих около 26,500.

    Контакты в РФ и СНГ
    alex.glubokov.wm@hitachi.com
    тел. +7 (495) 787-4024

    Оцените материал:

    kk

    Комментарии

    0 / 0
    0 / 0

    Прокомментировать







     

     
     




    Rambler's Top100
    Руководителям  |  Разработчикам  |  Производителям  |  Снабженцам
    © 2007 - 2018 Издательский дом Электроника
    Использование любых бесплатных материалов разрешено, при условии наличия ссылки на сайт «Время электроники».
    Создание сайтаFractalla Design | Сделано на CMS DJEM ®
    Контакты