Вход |  Регистрация
 
 
Время электроники Пятница, 19 октября
 
 
  • Обзоры, аналитика
  • Интервью, презентации
  • Магазин
  • Календарь событий
  • RSS - каналы
  • Журналы
  • Реклама на сайте
  • Контакты
  • Вакансии

  • Живая электроника России
  • Мероприятия медиагруппы «Электроника»


    Это интересно!

    Новости


    Обзоры, аналитика


    Интервью, презентации

    Ранее

    К вопросу об энергопотреблении SSD-накопителей

    Одним из основных лозунгов, под которым продвигаются на рынок твердотельные накопители, является их меньший, по сравнению с традиционными жесткими дисками, уровень энергопотребления.

    DRAMeXchange: цены на флэш-память NAND стабилизируются к концу лета

    По данным агентства DRAMeXchange, средняя цена на флэш-память NAND снизилась во второй половине июня в пределах 5-25% и, по мнению аналитиков, стабилизируется к августу.

    Apple заказала у Samsung рекордную партию модулей flash-памяти

    Южнокорейский производитель электроники Samsung Electronics сегодня распространил информацию для своих клиентов, где говорится, что в ближайшее время компания может отказаться от приема новых заявок и, возможно, задержать часть партий, так как Apple разместила очень крупный заказ на модули памяти.

  •  

    9 июля

    Cypress расширяет портфель быстрой энергонезависимой памяти nvSRAM

    Компания добавила в семейство быстрой энергонезависимой памяти nvSRAM (non-volatile static random access memories) 2 Мбит и 8 Мбит приборы, увеличив максимальную емкость семейства с 16 Кбит до 8 Мбит.

    Н

    овые приборы имеют время доступа 20 нс, неограниченное количество циклов записи и чтения, 20-летний срок хранения данных. Микросхемы nvSRAM могут найти применение в серверах, RAID, в системах промышленного контроля, автомобильной, медицинской и технике и оборудовании связи.

    CY14B102 2 Мбит nvSRAM и CY14B108 8 Мбит nvSRAM ROHS-совместимые, могут непосредственно заменять SRAM, батарейные SRAM, EPROM и EEPROM, предлагая надежную энергонезависимую память данных без батарей. Передача данных от SRAM к энергонезависимым элементам устройства происходить автоматически при снятии питания, а после его включения также автоматически перезаписываются обратно в SRAM. Обе операции также доступны под программным управлением.

    Новые nvSRAM производятся по Cypress S8™ 0.13 мкм SONOS (Silicon Oxide Nitride Oxide Silicon) встраиваемой энергонезависимой технологии памяти, которая позволяет увеличить плотность, улучшить время доступа и производительность.

    Оцените материал:

    ee

    Комментарии

    0 / 0
    0 / 0

    Прокомментировать







     

     
     




    Rambler's Top100
    Руководителям  |  Разработчикам  |  Производителям  |  Снабженцам
    © 2007 - 2018 Издательский дом Электроника
    Использование любых бесплатных материалов разрешено, при условии наличия ссылки на сайт «Время электроники».
    Создание сайтаFractalla Design | Сделано на CMS DJEM ®
    Контакты