Вход |  Регистрация
 
 
Время электроники Суббота, 20 октября
 
 
  • Обзоры, аналитика
  • Интервью, презентации
  • Магазин
  • Календарь событий
  • RSS - каналы
  • Журналы
  • Реклама на сайте
  • Контакты
  • Вакансии

  • Живая электроника России
  • Мероприятия медиагруппы «Электроника»


    Это интересно!

    Новости


    Обзоры, аналитика


    Интервью, презентации

    Ранее

    Разработан винчестер без магнитной головки

    Японские ученые разработали новый тип жестких дисков, в которых запись информации выполняется не магнитным, а электрическим полем. Предполагается, что они могут быть меньше, эффективнее и быстрее современных магнитных носителей. Однако технология, предлагаемая инженерами, требует доработки.

    Ученые создают аппарат «искусственной памяти»

    Почему для улучшения зрения есть очки, для решения проблем со слухом - слуховые аппараты, а для памяти нет никаких специальных технических приспособлений? Американские ученые работают над тем, чтобы исправить эту досадную несправедливость.

    Выпущены модули памяти типа DDR3-2400 на чипах Elpida

    Память типа DDR-3 еще не успела раскрыть весь свой потенциал повышения производительности, и причастные к выпуску модулей памяти компании продолжают работать в этом направлении. Как сообщает японский сайт PC Watch, компания Buffalo анонсировала модули памяти типа DDR3-2400 (PC3-19200), основанные на микросхемах производства Elpida.

  •  

    30 сентября

    Samsung приступает к выпуску 16 Гбайт модулей DDR3

    Компания Samsung объявила о начале производства образцов памяти DDR3 емкостью до 16 Гбайт, выполненных по 50 нм процессу.

    К

    омпания Samsung объявила о начале производства образцов памяти DDR3 емкостью до 16 Гбайт, выполненных по 50 нм процессу.

    По заявлению компании, 50 нм 2 Гбайт чипы памяти DDR3 в два раза превышают по плотности сегодняшние 1 Гбайт чипы и экономят более 40% энергии по сравнению с их предшественниками. Также отмечается, что изготовление 2 Гбайт чипов приводит к увеличению производительности на 60%.

    Благодаря тому, что новые чипы имеют маленький форм-фактор, присутствует возможность создание модулей с конфигурацией до 8 Гбайт для RIMM и 4 Гбайт для мобильных SODIMM. Использование упаковки с двойной подложкой увеличивает максимальный объем модулей памяти до 16 Гбайт для серверов и настольных компьютеров.

    Согласно производителю, 2 Гбайт чип поддерживает скорость передачи данных до 1,3 Гбит/с при напряжении 1,5 или 1,35 В. Компания начнет массовое производство 2 Гбайт чипов в конце этого года, а 2 Гбайт DDR3 DRAM в 2009 году. Стоимость продукта вряд ли будет низкой, учитывая, что DDR2 память с объемом 8 Гбайт стоит более $1000.

    Оцените материал:

    ee

    Комментарии

    0 / 0
    0 / 0

    Прокомментировать







     

     
     




    Rambler's Top100
    Руководителям  |  Разработчикам  |  Производителям  |  Снабженцам
    © 2007 - 2018 Издательский дом Электроника
    Использование любых бесплатных материалов разрешено, при условии наличия ссылки на сайт «Время электроники».
    Создание сайтаFractalla Design | Сделано на CMS DJEM ®
    Контакты