Вход |  Регистрация
 
 
Время электроники Четверг, 13 декабря
 
 
  • Обзоры, аналитика
  • Интервью, презентации
  • Магазин
  • Календарь событий
  • RSS - каналы
  • Журналы
  • Реклама на сайте
  • Контакты
  • Вакансии

  • Живая электроника России
  • Мероприятия медиагруппы «Электроника»

    Это интересно!

    Новости


    Обзоры, аналитика

    Итоги Премии «Живая электроника России — 2018»


    Интервью, презентации

    Ранее

    SST выпускает два контроллера флэш-памяти типа NAND для мобильных хранилищ

    SST анонсировала [[расширение ассортимента контроллеров флэш-памяти]] типа NAND двумя новыми моделями: ATA Flash Disk Controller (SST55VD020) и CompactFlash Card Controller (SST55LC200)

    Первые 1 Мбит SPI EEPROM в корпусе SO8

    STMicroelectronics представила свои [[первые 1 Мбит EEPROM с интерфейсом SPI]] в узком (150 mil) корпусе SO8N

    Новое семейство тактовых генераторов CDCE9xx и CDCEL9xx

    Texas Instruments представила семейство программируемых [[тактовых генераторов]], имеющих от 1 до 4 схем ФАПЧ

  •  

    14 августа

    Hynix Semiconductor выпускает 66нм память mobile DRAM плотностью 1 Гбит

    Компания Hynix Semiconductor анонсировала выпуск самой миниатюрной в отрасли [[динамической памяти]] для мобильных устройств (mobile DRAM) плотностью 1 Гбит

    П

    амять этого типа широко используется в сотовых телефонах, цифровых камерах, КПК, универсальных проигрывателях и навигаторах. Новая память Hynix удовлетворяет всем требованиям, предъявляемым к памяти для современных мобильных устройств, сочетая высокую плотность и производительность, малое энергопотребление и размеры.

    По данным компании, новинка стала первой коммерчески доступной памятью mobile DRAM плотностью 1 Гбит, выпускаемой с использованием 66-нм техпроцесса, разработанного специалистами Hynix. Уменьшение норм позволило уменьшить размеры чипов и энергопотребление, одновременно повысив их быстродействие.

    Память рассчитана на работу с максимальной тактовой частотой 200 МГц, что соответствует пропускной способности до 1,6 Гбит/с в случае использования 32-разрядного интерфейса ввода-вывода.

    Новая память вошла в семейство решений «One Chip Solutions», характерной чертой которых является объединение интерфейсов SDRAM/DDR и логической организации x16/x32 в одном чипе. Опция выбора логической организации и интерфейса дает Hynix возможность гибко реагировать на требования заказчиков.

    Массовый выпуск памяти компания обещает начать в первом квартале 2008 года. Память будет доступна, как часть решения «NAND flash Multi-Chip Package (NAND MCP)», объединяющего DRAM и NAND в одном корпусе, «package-on-package (POP)» и «KGD (Known Good Die)» (последний вариант предназначен для использования в однокорпусных системах (System in Package, SIP) (по материалам DigiTimes).

    Оцените материал:

    Источник: iXBT

    Комментарии

    0 / 0
    0 / 0


     

     
     




    Rambler's Top100
    Руководителям  |  Разработчикам  |  Производителям  |  Снабженцам
    © 2007 - 2018 Издательский дом Электроника
    Использование любых бесплатных материалов разрешено, при условии наличия ссылки на сайт «Время электроники».
    Создание сайтаFractalla Design | Сделано на CMS DJEM ®
    Контакты