Вход |  Регистрация
 
 
Время электроники Вторник, 16 октября
 
 
  • Обзоры, аналитика
  • Интервью, презентации
  • Магазин
  • Календарь событий
  • RSS - каналы
  • Журналы
  • Реклама на сайте
  • Контакты
  • Вакансии

  • Живая электроника России
  • Мероприятия медиагруппы «Электроника»


    Это интересно!

    Ранее

    Hynix Semiconductor выпускает 66нм память mobile DRAM плотностью 1 Гбит

    Компания Hynix Semiconductor анонсировала выпуск самой миниатюрной в отрасли [[динамической памяти]] для мобильных устройств (mobile DRAM) плотностью 1 Гбит

    SST выпускает два контроллера флэш-памяти типа NAND для мобильных хранилищ

    SST анонсировала [[расширение ассортимента контроллеров флэш-памяти]] типа NAND двумя новыми моделями: ATA Flash Disk Controller (SST55VD020) и CompactFlash Card Controller (SST55LC200)

    Первые 1 Мбит SPI EEPROM в корпусе SO8

    STMicroelectronics представила свои [[первые 1 Мбит EEPROM с интерфейсом SPI]] в узком (150 mil) корпусе SO8N

  •  

    14 августа

    Hynix Semiconductor планирует использовать технологию Z-RAM в чипах динамической памяти

    Компании Innovative Silicon Inc. (ISi) и Hynix Semiconductor объявили о том, что Hynix приобрела лицензию на использование технологии памяти высокой плотности Z-RAM, разработанной специалистами ISi, в своих [[чипах DRAM]]

    Н

    овая память использует для хранения одного бита информации ячейку, состоящую из одного транзистора, а в обычной памяти DRAM ячейка представляет собой комбинацию из транзисторов и конденсатора. По сути дела, Z-RAM – первое фундаментальное изменение ячейки DRAM с момента ее изобретения в начале семидесятых годов прошлого века. Как утверждается, Hynix может стать первым производителем, который выпустит продукты Z-RAM на рынок DRAM.

    Первоначально, Z-RAM создавалась, как недорогая встраиваемая память для логических микросхем – чипсетов, микропроцессоров, сетевых контроллеров. Именно с таким прицелом, первой, еще в 2005 году, новую разработку лицензировала компания AMD. Примерно через год производитель микропроцессоров приобрел лицензию на второе поколение Z-RAM.

    В Hynix считают, Z-RAM подойдет не только на роль встраиваемой памяти – она представляет собой элегантный способ повысить плотность памяти DRAM. По данным ISi, Z-RAM вдвое превосходит по этому показателю встраиваемую память embedded DRAM и в пять раз - embedded SRAM. На данный момент, компания располагает соответствующими разработками, рассчитанными на производство по нормам 90, 65 и 45 нм. Помимо высокой плотности, важным преимуществом Z-RAM является низкая стоимость.

    Оцените материал:

    Источник: iXBT

    Комментарии

    0 / 0
    0 / 0


     

     
     




    Rambler's Top100
    Руководителям  |  Разработчикам  |  Производителям  |  Снабженцам
    © 2007 - 2018 Издательский дом Электроника
    Использование любых бесплатных материалов разрешено, при условии наличия ссылки на сайт «Время электроники».
    Создание сайтаFractalla Design | Сделано на CMS DJEM ®
    Контакты