Вход |  Регистрация
 
 
Время электроники Вторник, 11 декабря
 
 
  • Обзоры, аналитика
  • Интервью, презентации
  • Магазин
  • Календарь событий
  • RSS - каналы
  • Журналы
  • Реклама на сайте
  • Контакты
  • Вакансии

  • Живая электроника России
  • Мероприятия медиагруппы «Электроника»

    Это интересно!

    Ранее

    Intel начала поставки SSD для профессиональных систем

    Корпорация Intel начала поставки своих наиболее производительных твердотельных жестких дисков (SSD), Intel X-25E Extreme SATA, предназначенных для серверов, рабочих станций и систем хранения данных. Эти SSD построены на базе технологии 50-нм одноуровневых ячеек (SLC) флэш памяти типа NAND.

    Модули Qimonda DDR3 теперь совместимы с готовящейся к выпуску платформой Intel High-End Desktop

    Компания Qimonda AG, ведущий поставщик продуктов памяти, сообщает о начале посавок небуферизированных модулей памяти DDR3 с двухрядным расположением выводов (UDIMM) объемом 1 Гбит и 2 Гбит на базе процессора Intel Core i7 и чипсета IntelX58 Express. Новые приборы позволяют значительно сократить потребление и снизить тепловыделение настольных компьютеров класса high-end нового поколения.

    Среди крупных производителей DRAM без убытков работает только Samsung

    Поставщики DRAM столкнулись с серьезными финансовыми трудностями, поскольку ресурсы сотрудничающих с ними банков оказались связаны вследствие глобального кредитного кризиса, утверждает источник со ссылкой на данные аналитической компании iSuppli.

  •  

    28 октября

    UMC первой выпустила 28-нм память типа SRAM

    Тайваньская компания UMC, специализирующаяся на производстве полупроводниковых микросхем, объявила о выпуске первых в отрасли полностью работоспособных 28-нм чипов SRAM. Для изготовления этой памяти UMC применила техпроцесс собственной разработки, в котором объединена иммерсионная литография с двойным шаблонированием и напряженный кремний. Размер ячейки SRAM, состоящей из шести транзисторов, примерно равен 0,122 мм2.

    Д

    ля производства 28-нм чипов UMC предлагает два подхода. Каждый из них оптимизирован для определенного круга приложений. Обычный техпроцесс (в котором затворы транзисторов, характеризующихся низким током утечки, формируются из кремния и оксида нитрида кремния) хорошо подходит для портативных приложений, таких, как микросхемы для сотовых телефонов.

    Второй вариант построен на использовании материалов с высоким значением диэлектрической постоянной и металлических затворов, и больше подходит для выпуска высокоскоростных продуктов, таких, как графические и прикладные процессоры, микросхемы связи.

    Новый техпроцесс UMC позволяет изготавливать микросхемы, примерно вдвое превосходящие по плотности 40-нм микросхемы, выпускаемые сейчас на 300-мм фабриках компании.

    По материалам UMC

    Оцените материал:

    ee

    Комментарии

    0 / 0
    0 / 0

    Прокомментировать







     

     
     




    Rambler's Top100
    Руководителям  |  Разработчикам  |  Производителям  |  Снабженцам
    © 2007 - 2018 Издательский дом Электроника
    Использование любых бесплатных материалов разрешено, при условии наличия ссылки на сайт «Время электроники».
    Создание сайтаFractalla Design | Сделано на CMS DJEM ®
    Контакты