Вход |  Регистрация
 
 
Время электроники Воскресенье, 21 октября
 
 
  • Обзоры, аналитика
  • Интервью, презентации
  • Магазин
  • Календарь событий
  • RSS - каналы
  • Журналы
  • Реклама на сайте
  • Контакты
  • Вакансии

  • Живая электроника России
  • Мероприятия медиагруппы «Электроника»


    Это интересно!

    Новости


    Обзоры, аналитика


    Интервью, презентации

    Ранее

    Renesas не оставляет надежды разработать коммерческую MRAM

    На конференции разработчиков, которая прошла на этой неделе в Токио, представитель компании выступил с докладом, в котором обещал представить на рынок первые коммерческие приборы в 2010 году.

    UMC первой выпустила 28-нм память типа SRAM

    Тайваньская компания UMC, специализирующаяся на производстве полупроводниковых микросхем, объявила о выпуске первых в отрасли полностью работоспособных 28-нм чипов SRAM. Для изготовления этой памяти UMC применила техпроцесс собственной разработки, в котором объединена иммерсионная литография с двойным шаблонированием и напряженный кремний. Размер ячейки SRAM, состоящей из шести транзисторов, примерно равен 0,122 мм2.

    Intel начала поставки SSD для профессиональных систем

    Корпорация Intel начала поставки своих наиболее производительных твердотельных жестких дисков (SSD), Intel X-25E Extreme SATA, предназначенных для серверов, рабочих станций и систем хранения данных. Эти SSD построены на базе технологии 50-нм одноуровневых ячеек (SLC) флэш памяти типа NAND.

  •  

    29 октября

    Toshiba начинает производство SLC NAND флэш памяти по 43 нм процессу

    Компания Toshiba объявила о начале серийного производства новой серии флэш памяти SLC (Single-Level Cell) NAND с плотностью от 512 Мбит до 64 Гбит. Новинки плотностью 16, 32 и 64 Гбит состоят из монолитных 16 Гбит чипов, изготовленных по 43 нм техпроцессу.

    С

    пециалистам компании удалось вдвое повысить плотность записи по сравнению с чипами, производимыми по 56 нм нормам и достигнуть максимальной на сегодняшний день плотности памяти. Новые устройства будут доступны на рынке в первом квартале 2009 года.

    Чипы SLC способны быстро обрабатывать большие объемы данных и были разработаны для применения в устройствах, требующих высокой скорости чтения и записи – мобильных телефонах, LCD панелях, серверах. Скорость записи у чипов SLC в 2.5 раза выше, чем у чипов MLC (Multi-Level Cell).

    В последние годы корпорация Toshiba активно продвигала на рынок флэш память типа MLC NAND высокой емкости для карт памяти и mp3 плееров. Производство SLC было ограничено, для него использовались технологические нормы 56 и 70 нм. Расширяя производство SLC высокой плотности, Toshiba рассчитывает укрепить свои позиции в сегменте компонентов, предназначенных для высокопроизводительных приложений.

    Контактная информация:

    Олег Корчагин, специалист по маркетингу и PR
    Московское представительство Toshiba Europe GmbH
    +7 (495) 642-8929 #202
    Korchagin@toshiba.com.ru 

    Оцените материал:

    ad ee

    Комментарии

    0 / 0
    0 / 0

    Прокомментировать







     

     
     




    Rambler's Top100
    Руководителям  |  Разработчикам  |  Производителям  |  Снабженцам
    © 2007 - 2018 Издательский дом Электроника
    Использование любых бесплатных материалов разрешено, при условии наличия ссылки на сайт «Время электроники».
    Создание сайтаFractalla Design | Сделано на CMS DJEM ®
    Контакты