Вход |  Регистрация
 
 
Время электроники Вторник, 16 октября
 
 
  • Обзоры, аналитика
  • Интервью, презентации
  • Магазин
  • Календарь событий
  • RSS - каналы
  • Журналы
  • Реклама на сайте
  • Контакты
  • Вакансии

  • Живая электроника России
  • Мероприятия медиагруппы «Электроника»


    Это интересно!

    Ранее

    Toshiba начинает производство SLC NAND флэш памяти по 43 нм процессу

    Компания Toshiba объявила о начале серийного производства новой серии флэш памяти SLC (Single-Level Cell) NAND с плотностью от 512 Мбит до 64 Гбит. Новинки плотностью 16, 32 и 64 Гбит состоят из монолитных 16 Гбит чипов, изготовленных по 43 нм техпроцессу.

    Renesas не оставляет надежды разработать коммерческую MRAM

    На конференции разработчиков, которая прошла на этой неделе в Токио, представитель компании выступил с докладом, в котором обещал представить на рынок первые коммерческие приборы в 2010 году.

    UMC первой выпустила 28-нм память типа SRAM

    Тайваньская компания UMC, специализирующаяся на производстве полупроводниковых микросхем, объявила о выпуске первых в отрасли полностью работоспособных 28-нм чипов SRAM. Для изготовления этой памяти UMC применила техпроцесс собственной разработки, в котором объединена иммерсионная литография с двойным шаблонированием и напряженный кремний. Размер ячейки SRAM, состоящей из шести транзисторов, примерно равен 0,122 мм2.

  •  

    31 октября

    IBM представит 22-нм память в декабре

    На конференции производителей электронных устройств IEDM 2008 (IEEE International Electron Devices Meeting, 15-17 декабря 2008, Сан-Франциско) IBM представит ячейку памяти SRAM, созданную с соблюдением 22-нм технологии, сообщает The Register. Площадь данной ячейки равна 0,1 мкм2, ячейка будет работать на частоте 3.8 ГГц при напряжении 1.1 В. Всего тестовый чип будет содержать порядка 2 млрд транзисторов.

    О

    создании 22-нм ячейки памяти SRAM IBM сообщила в августе текущего года. Помимо IBM, в ее разработке участвовали и другие компании из альянса производителей чипов, в частности, AMD.

    Компания Intel планирует рассказать на IEDM 2008 о производстве ячеек памяти SRAM по 32-нм техпроцессу. Площадь одной такой ячейки равна 0,171 мкм2, емкость - 291 Мбит.

    Помимо Intel, продемонстрировать свою ячейку памяти SRAM, выполненную по 32-нанометровому техпроцессу, на IEDM 2008 намерена компания TSMC. Емкость ячейки равна 2 Мбит, площадь - 0,157 мкм2.

    Оцените материал:

    ee

    Комментарии

    0 / 0
    0 / 0

    Прокомментировать







     

     
     




    Rambler's Top100
    Руководителям  |  Разработчикам  |  Производителям  |  Снабженцам
    © 2007 - 2018 Издательский дом Электроника
    Использование любых бесплатных материалов разрешено, при условии наличия ссылки на сайт «Время электроники».
    Создание сайтаFractalla Design | Сделано на CMS DJEM ®
    Контакты