Вход |  Регистрация
 
 
Время электроники Вторник, 16 октября
 
 
  • Обзоры, аналитика
  • Интервью, презентации
  • Магазин
  • Календарь событий
  • RSS - каналы
  • Журналы
  • Реклама на сайте
  • Контакты
  • Вакансии

  • Живая электроника России
  • Мероприятия медиагруппы «Электроника»


    Это интересно!

    Ранее

    Hynix Semiconductor планирует использовать технологию Z-RAM в чипах динамической памяти

    Компании Innovative Silicon Inc. (ISi) и Hynix Semiconductor объявили о том, что Hynix приобрела лицензию на использование технологии памяти высокой плотности Z-RAM, разработанной специалистами ISi, в своих [[чипах DRAM]]

    Hynix Semiconductor выпускает 66нм память mobile DRAM плотностью 1 Гбит

    Компания Hynix Semiconductor анонсировала выпуск самой миниатюрной в отрасли [[динамической памяти]] для мобильных устройств (mobile DRAM) плотностью 1 Гбит

    SST выпускает два контроллера флэш-памяти типа NAND для мобильных хранилищ

    SST анонсировала [[расширение ассортимента контроллеров флэш-памяти]] типа NAND двумя новыми моделями: ATA Flash Disk Controller (SST55VD020) и CompactFlash Card Controller (SST55LC200)

  •  

    22 августа

    TSMC начинает выпуск встраиваемой флэш-памяти по нормам 0,13 мкм

    Компания Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC) объявила о начале промышленной эксплуатации техпроцесса для выпуска 0,13-мкм встраиваемой флэш-памяти [[(embedded flash)]].

    Т

    аким образом, TSMC стала первой среди компаний, занятых исключительно производством полупроводниковой продукции, освоившей серийный техпроцесс встраиваемой флэш-памяти, полностью совместимый с техпроцессом производства логических схем.

    При изготовлении 0,13-мкм встраиваемой флэш-памяти используются такие же ячейки памяти, как в предыдущем поколении продукции, что упрощает процесс миграции к новым нормам, утверждает TSMC. Заявлена полная совместимость с базовым техпроцессом TSMC, используемым для выпуска универсальных логических схем по нормам 0,13 мкм (G) и его вариацией, оптимизированной для выпуска приборов с пониженным энергопотреблением (LP). Таким образом, заказчики могут оптимально воспользоваться своими вложениями в библиотеки компонентов и разработки в области интеллектуальной собственности (IP).

    По словам Сэм Чена (Sam Chen), директора TSMC по маркетингу платформ памяти, низковольтный вариант продукции отлично подходит для приборов ZigBee/Wibree, беспроводных гарнитур, слуховых аппаратов, смарт-карт и других приложений, в которых востребовано сверхмалое энергопотребление при напряжении питания 1,2-1,5 В.

     

    Оцените материал:

    Источник: EETimes

    Комментарии

    0 / 0
    0 / 0


     

     
     




    Rambler's Top100
    Руководителям  |  Разработчикам  |  Производителям  |  Снабженцам
    © 2007 - 2018 Издательский дом Электроника
    Использование любых бесплатных материалов разрешено, при условии наличия ссылки на сайт «Время электроники».
    Создание сайтаFractalla Design | Сделано на CMS DJEM ®
    Контакты