Вход |  Регистрация
 
 
Время электроники Суббота, 15 декабря
 
 
  • Обзоры, аналитика
  • Интервью, презентации
  • Магазин
  • Календарь событий
  • RSS - каналы
  • Журналы
  • Реклама на сайте
  • Контакты
  • Вакансии

  • Живая электроника России
  • Мероприятия медиагруппы «Электроника»

    Это интересно!

    Ранее

    16 Гбит NAND флэш память по 51 нм технологии

    Samsung Electronics приступила к серийному выпуску 16 Гбит NAND флэш [[по 51 нм процессу]]

    TSMC начинает выпуск встраиваемой флэш-памяти по нормам 0,13 мкм

    Компания Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC) объявила о начале промышленной эксплуатации техпроцесса для выпуска 0,13-мкм встраиваемой флэш-памяти [[(embedded flash)]].

    Hynix Semiconductor планирует использовать технологию Z-RAM в чипах динамической памяти

    Компании Innovative Silicon Inc. (ISi) и Hynix Semiconductor объявили о том, что Hynix приобрела лицензию на использование технологии памяти высокой плотности Z-RAM, разработанной специалистами ISi, в своих [[чипах DRAM]]

  •  

    22 августа

    IBM и TDK объединяются для разработки MRAM

    Две корпорации, IBM и TDK, договорились о совместных работах по коммерциализации магниторезистивной [[памяти MRAM]] и выводу ее на рынок

    П

    рограмма рассчитана на четыре года. Исследования будут проводится в четырех лабораториях, трех IBM и одной TDK - TJ Watson Research Center в Yorktown Heights, Almaden Research Center в Сан Хосе, Центре разработки ASIC в Burlington и TDK R&D центре в Milpitas.

    Оцените материал:

    Комментарии

    0 / 0
    0 / 0


     

     
     




    Rambler's Top100
    Руководителям  |  Разработчикам  |  Производителям  |  Снабженцам
    © 2007 - 2018 Издательский дом Электроника
    Использование любых бесплатных материалов разрешено, при условии наличия ссылки на сайт «Время электроники».
    Создание сайтаFractalla Design | Сделано на CMS DJEM ®
    Контакты