Вход |  Регистрация
 
 
Время электроники Пятница, 19 октября
 
 
  • Обзоры, аналитика
  • Интервью, презентации
  • Магазин
  • Календарь событий
  • RSS - каналы
  • Журналы
  • Реклама на сайте
  • Контакты
  • Вакансии

  • Живая электроника России
  • Мероприятия медиагруппы «Электроника»


    Это интересно!

    Новости


    Обзоры, аналитика


    Интервью, презентации

    Ранее

    Qimonda начала поставки памяти DDR3-1600 (CL9) под Intel Core i7 и X58 Express

    Немецкая компании Qimonda объявила о начале продаж трехмодульного комплекта памяти DDR3-1600 (CL9) объемом 3 и 6 Гбайт под брендом Aeneon для новых процессоров Intel Core i7 и чипсетов Intel X58 Express.

    Новые высоковольтные генераторы импульсов и переключатели TI для ультразвуковых систем

    Компания Texas Instruments объявила о выпуске полностью интегрированных высоковольтных генераторов импульсов и переключателей. Новое семейство устройств поможет производителям разрабатывать доступные по цене компактные ультразвуковые системы.

    Intel и Micron выпустили 34 нм флэш-память

    Компании Intel и Micron объявили о начале массового производства многоуровневой флэш-памяти с соблюдение 34 нм технологии. Емкость ячейки 34 нм флэш-памяти составляет 32 Гбит.

  •  

    1 декабря

    Компания Ramtron начала производство семейства микросхем FRAM

    Компания Ramtron выпустила первую параллельную микросхему из своего семейства последовательных и параллельных FRAM-микросхем, которые обеспечивают высокую скорость чтения/записи, имеют пониженное напряжение питания и выполняют дополнительные функции.

    Н

    овейшей микросхемой в V-семействе FRAM компании Ramtron является FM28V100, параллельное энергонезависимое ОЗУ в 32-выводном TSOP-I-корпусе емкостью 1 Мбит, с напряжением питания от 2 до 3,6 В, которое имеет быстрое время доступа, запись NoDelay, теоретически неограниченное число циклов чтения/записи и низкое потребление энергии. FM28V100 может служить идеальной заменой микросхемам 1 Мбит ОЗУ с батарейной поддержкой памяти в аппаратуре промышленного управления, измерительных, медицинских, автомобильных, военных, игровых, компьютерных приложениях и множестве других областей. Кроме FM28V100, компания Ramtron недавно анонсировала 512 Kбит FM25V05 и 1 Mбит FM25V10 последовательные SPI-микросхемы V-семейства.

    FM28V100 - энергонезависимая ферроэлектрическая память с организацией 128 x 8 Кбит и произвольным доступом (FRAM), которая читается и записывается как обычное ОЗУ, но при отключении питания данные в ней сохраняются. FM28V100 обеспечивает время хранения данных более 10 лет, исключая при этом проблемы с надежностью, ухудшение характеристик и сложность конструкции связанных с использованием ОЗУ с батарейной поддержкой (BBSRAM). Исключение из конструкции аппаратуры батарейки позволяет системе работать в более широком температурном диапазоне и уменьшает вред для  окружающей среды. Быстрое время записи и теоретически неограниченный ресурс дает FRAM преимущество над другими видами памяти. При работе в системе FM28V100 работает аналогична другим микросхемам ОЗУ, что дает возможность прямой замены стандартных микросхем ОЗУ без внесения каких либо изменений в конструкцию.

    Циклы чтения и записи могут запускаться переключением состояния вывода разрешения работы микросхемы или просто при смене адреса. Память F-RAM является энергонезависимой, благодаря уникальной технологии ферроэлектрической памяти, которая идеально подходит для приложений с энергонезависимой памятью, требующих частой и быстрой записи. Микросхема работает в полном промышленном температурном диапазоне -40…85°C. V-семейство FRAM- микросхем компании Ramtron создано по передовой 130 нм CMOS технологии производства, разработанной компаниями Ramtron и Texas Instruments, которая обеспечивает улучшение характеристик микросхем, включая характеристики памяти. Благодаря выпуску FM28V100, время цикла параллельной 1 Мбит памяти было уменьшено со 150 нс до 90 нс - улучшение на 60%, по сравнению с ранее выпускавшимися компанией Ramtron 1 Мбит параллельными микросхемами памяти.

    SPI и I2C-последовательные микросхемы V-семейства обеспечивают двух-трехкратное улучшение параметров чтения записи, по сравнению с существующими последовательными микросхемами FRAM компании Ramtron. Благодаря улучшениям, которые стали возможными благодаря 130 нм FRAM-технологии производства компании Texas Instruments, V-семейство FRAM обладает возможностью работы при сниженном до 2,0 В напряжении питания, что позволяет FRAM работать от общего напряжения питания в большем числе электронных систем. Микросхемы FRAM V-семейства имеют программную защиту от записи. Блок памяти разбит на восемь областей одинакового размера, каждый из которых независимо может быть защищен от записи программным способом без изменения аппаратной части. Номер микросхемы: последовательные FRAM-микросхемы памяти V-семейства содержат 24-битный номер микросхемы, уникальный среди продуктов компании Ramtron для защиты от незаконного копирования аппаратуры.

    Последовательные FRAM микросхемы V-семейства могут быть заказаны с 64-битным серийным номером, состоящим из 16-битного идентификатора потребителя, 40-битного уникального номера и 8-битной циклической контрольной суммы, для систем в которых нужен уникальный электронный номер. В последовательных FRAM-микросхемах V-семейства доступны различные напряжения сброса от 2,14 до 3,09 В.

    Оцените материал:

    Источник: Терраэлектроника

    vv

    Комментарии

    0 / 0
    0 / 0

    Прокомментировать







     

     
     




    Rambler's Top100
    Руководителям  |  Разработчикам  |  Производителям  |  Снабженцам
    © 2007 - 2018 Издательский дом Электроника
    Использование любых бесплатных материалов разрешено, при условии наличия ссылки на сайт «Время электроники».
    Создание сайтаFractalla Design | Сделано на CMS DJEM ®
    Контакты