Вход |  Регистрация
 
 
Время электроники Вторник, 23 октября
 
 
  • Обзоры, аналитика
  • Интервью, презентации
  • Магазин
  • Календарь событий
  • RSS - каналы
  • Журналы
  • Реклама на сайте
  • Контакты
  • Вакансии

  • Живая электроника России
  • Мероприятия медиагруппы «Электроника»


    Это интересно!

    Новости


    Обзоры, аналитика


    Интервью, презентации

    Ранее

    Компания Ramtron начала производство семейства микросхем FRAM

    Компания Ramtron выпустила первую параллельную микросхему из своего семейства последовательных и параллельных FRAM-микросхем, которые обеспечивают высокую скорость чтения/записи, имеют пониженное напряжение питания и выполняют дополнительные функции.

    Qimonda начала поставки памяти DDR3-1600 (CL9) под Intel Core i7 и X58 Express

    Немецкая компании Qimonda объявила о начале продаж трехмодульного комплекта памяти DDR3-1600 (CL9) объемом 3 и 6 Гбайт под брендом Aeneon для новых процессоров Intel Core i7 и чипсетов Intel X58 Express.

    Новые высоковольтные генераторы импульсов и переключатели TI для ультразвуковых систем

    Компания Texas Instruments объявила о выпуске полностью интегрированных высоковольтных генераторов импульсов и переключателей. Новое семейство устройств поможет производителям разрабатывать доступные по цене компактные ультразвуковые системы.

  •  

    2 декабря

    Intel и Hitachi займутся выпуском систем хранения данных на базе флэш-памяти

    Компании Intel и Hitachi создали альянс для разработки систем хранения данных класса high-end на базе флэш-памяти, сообщает The Wall Street Journal.

    I

    ntel будет поставлять модули флэш-памяти, выпускаемые на совместном предприятии с Micron, а также SSD-накопители. Hitachi, в частности, займется интеграцией флэш-памяти с системами, предназначенными для использования с серверами и другими высокопроизводительными комплексами.

    Ожидается, что первая продукция альянса Intel и Hitachi появится в 2010 году. Эти устройства будут продаваться под брендом Hitachi. Одним из преимуществ флэш-памяти перед магнитными накопителями является более высокая скорость работы. Кроме того, флэш-память потребляет меньше энергии.

    Оцените материал:

    ee

    Комментарии

    0 / 0
    0 / 0

    Прокомментировать







     

     
     




    Rambler's Top100
    Руководителям  |  Разработчикам  |  Производителям  |  Снабженцам
    © 2007 - 2018 Издательский дом Электроника
    Использование любых бесплатных материалов разрешено, при условии наличия ссылки на сайт «Время электроники».
    Создание сайтаFractalla Design | Сделано на CMS DJEM ®
    Контакты