Вход |  Регистрация
 
 
Время электроники Понедельник, 22 октября
 
 
  • Обзоры, аналитика
  • Интервью, презентации
  • Магазин
  • Календарь событий
  • RSS - каналы
  • Журналы
  • Реклама на сайте
  • Контакты
  • Вакансии

  • Живая электроника России
  • Мероприятия медиагруппы «Электроника»


    Это интересно!

    Новости


    Обзоры, аналитика


    Интервью, презентации

    Ранее

    Toshiba и SanDisk на треть сокращают производство флэш-памяти

    Крупнейшие поставщики чипов памяти Toshiba и SanDisk объявили о сокращении производства на треть. Новый режим будет действовать до тех пор, пока не восстановится спрос на эту продукцию.

    Seagate снижает гарантийные сроки на жесткие диски

    На сайте Seagate появилась информация о том, что все отгруженные после 3 января 2009 года жесткие диски Barracuda 7200 в OEM-комплектации будут иметь лишь трехлетнюю гарантию вместо прежней пятилетней.

    SSD против жестких дисков: основная угроза – дезинформация

    Индустрии жестких дисков нечего опасаться со стороны накопителей на базе флэш-памяти, кроме недобросовестной информации. Твердотельные диски (solid state drives, SSD) никогда не будут стоить дешевле традиционных жестких дисков, и ограниченное количество циклов записи будет оставаться фактором, ограничивающим их применение – заявил представитель Международной ассоциации производителей жестких дисков (International Hard Disk Drive Equipment and Materials Association, IDEMA) во время отраслевого симпозиума, проходившего в Бангкоке.

  •  

    17 декабря

    Разработана самая миниатюрная ячейка для следующих поколений SRAM

    Итогом сотрудничества Toshiba, IBM и AMD стала анонсированная ими на 2008 International Electron Devices Meeting (IEDM) самая миниатюрная фунционирующая ячейка памяти SRAM. Устройство площадью 0,128 мкм2 разработано с применением технологий high-k/metal gate (HKMG) на базе транзисторов FinFET и предлагает ряд преимуществ по сравнению с планарными FET-ячейками.

    Ч

    тобы уменьшить размеры планарных транзисторов в SRAM чипмейкерам приходится вводить больше дефектов в зону устройства, что приводит к нежелательному разбросу характеристик и ухудшает стабильность работы. Особенно критичной эта проблема становится при достижении уроня детализации 22 нм. Применение FinFET - вертикальных транзисторов с нелегированными кремниевыми каналами пластинчатой формы (Fin), это альтернативный способ миниатюризации ячеек SRAM с меньшей вариативностью характеристик.

    Образцы ячеек FinFET, полученные инженерами трех компаний-партнеров, уступают по площади самым миниатюрным непланарным ячейкам, изготовлявшимся ранее, более чем вполовину. Для достижения такого результата иследовательскому коллективу потребовалось оптимизировать производственные процессы нанесения и удаления материала (в том числе HKMG) для вертикальных поверхностей непланарной структуры FinFET. Ученые экспериментально установили, что использование FET с нелегированными каналами увеличивает стабильность характеристик более, чем на 28%.

    Оцените материал:

    ee

    Комментарии

    0 / 0
    0 / 0

    Прокомментировать







     

     
     




    Rambler's Top100
    Руководителям  |  Разработчикам  |  Производителям  |  Снабженцам
    © 2007 - 2018 Издательский дом Электроника
    Использование любых бесплатных материалов разрешено, при условии наличия ссылки на сайт «Время электроники».
    Создание сайтаFractalla Design | Сделано на CMS DJEM ®
    Контакты