Вход |  Регистрация
 
 
Время электроники Вторник, 16 октября
 
 
  • Обзоры, аналитика
  • Интервью, презентации
  • Магазин
  • Календарь событий
  • RSS - каналы
  • Журналы
  • Реклама на сайте
  • Контакты
  • Вакансии

  • Живая электроника России
  • Мероприятия медиагруппы «Электроника»


    Это интересно!

    Ранее

    Опубликован единый стандарт полного шифрования жестких дисков

    Шесть крупнейших производителей жестких дисков обнародовали финальные спецификации единого стандарта шифрования, который можно будет использовать на всех традиционных жестких дисках, твердотельных накопителях SSD и в приложениях для управления ключами шифрования. После включения такого шифрования любой жесткий диск с поддержкой этого стандарта будет требовать пароль даже для загрузки.

    Микросхемы EEPROM получают расширенный уникальный идентификатор

    Компания Microchip анонсировала серию микросхем последовательной памяти EEPROM со встроенным EUI-48 и EUI-64-совместимыми Mac-адресами.

    Новые материалы на сайте «Время электроники» из раздела «Генераторы и синтезаторы» журнала ЭК за I полугодие 2008 г

    На сайте «Время электроники» размещены все статьи из раздела «Генераторы и синтезаторы» журнала «Электронные компоненты» за I полугодие 2008 г.

  •  

    30 января

    Компанией Samsung разработана первая в мире микросхема памяти емкостью 4 Гбит

    Компания Samsung разработала первую в мире микросхему оперативной памяти DDR3 емкостью 4 Гбит. Она выполнена с соблюдением 50-нм технологии и позволит увеличить объем модуля оперативной памяти до 32 Гбайт. Об этом сообщается в пресс-релизе компании.

    Д

    ля работы 4-Гбит чипа памяти DDR3 необходимо напряжение в 1,35 В. Это на 20% меньше, чем требуется для работы выпускаемых в настоящее время чипов памяти DDR3. Энергопотребление 16-Гбит модуля DDR3 на базе 4-Гбит микросхем на 40% меньше энергопотребления аналогичного модуля, созданного на основе 2-Гбит чипов.

    Представители Samsung подчеркивают, что 4-Гбит чипы памяти DDR3 могут использоваться в 16-Гбит серверных модулях оперативной памяти RDIMM. Кроме того, они могут стать основой 8-Гбит модулей памяти для рабочих станций, настольных ПК и ноутбуков.

    В сентябре 2008 года Samsung анонсировал 2-Гбит чипы оперативной памяти, выполненные по 50-нм технологии. В настоящее время линейка 50-нм чипов оперативной памяти DDR3 компании Samsung включает микросхемы объемом 1, 2 и 4 Гбит.

    Оцените материал:

    Источник: Lenta.ru

    vv

    Комментарии

    0 / 0
    0 / 0

    Прокомментировать







     

     
     




    Rambler's Top100
    Руководителям  |  Разработчикам  |  Производителям  |  Снабженцам
    © 2007 - 2018 Издательский дом Электроника
    Использование любых бесплатных материалов разрешено, при условии наличия ссылки на сайт «Время электроники».
    Создание сайтаFractalla Design | Сделано на CMS DJEM ®
    Контакты