Вход |  Регистрация
 
 
Время электроники Понедельник, 17 декабря
 
 
  • Обзоры, аналитика
  • Интервью, презентации
  • Магазин
  • Календарь событий
  • RSS - каналы
  • Журналы
  • Реклама на сайте
  • Контакты
  • Вакансии

  • Живая электроника России
  • Мероприятия медиагруппы «Электроника»

    Это интересно!

    Ранее

    Компанией Samsung разработана первая в мире микросхема памяти емкостью 4 Гбит

    Компания Samsung разработала первую в мире микросхему оперативной памяти DDR3 емкостью 4 Гбит. Она выполнена с соблюдением 50-нм технологии и позволит увеличить объем модуля оперативной памяти до 32 Гбайт. Об этом сообщается в пресс-релизе компании.

    Опубликован единый стандарт полного шифрования жестких дисков

    Шесть крупнейших производителей жестких дисков обнародовали финальные спецификации единого стандарта шифрования, который можно будет использовать на всех традиционных жестких дисках, твердотельных накопителях SSD и в приложениях для управления ключами шифрования. После включения такого шифрования любой жесткий диск с поддержкой этого стандарта будет требовать пароль даже для загрузки.

    Микросхемы EEPROM получают расширенный уникальный идентификатор

    Компания Microchip анонсировала серию микросхем последовательной памяти EEPROM со встроенным EUI-48 и EUI-64-совместимыми Mac-адресами.

  •  

    9 февраля

    Toshiba анонсировала первые в отрасли 128 Мбайт FeRAM

    Японский производитель электроники компания Toshiba сегодня сообщила о выпуске энергонезависимой памяти FeRAM самой высокой плотности (128 Мбайт) и скорости (1.6 Гбайт/с).

    П

    амять FeRAM является сравнительно новым образцом запоминающих устройств. В данной памяти объединены два преимущества от памяти DRAM и памяти NAND (флэш-память). От первой FeRAM получила возможность быстрого доступа к данным, а от второго – возможность сохранять записанные данные даже при отключения модуля от источника питания.

    Ожидается, что первый работающий прототип памяти будет показан компанией на этой неделе в рамках конференции ISSCC-2009 (International Solid-State Circuits Conference). Прототип модуля будет иметь емкость 128 Мбайт, скорость чтения/записи - более 1,6 Гбайт/с.

    Оцените материал:

    ee

    Комментарии

    0 / 0
    0 / 0

    Прокомментировать







     

     
     




    Rambler's Top100
    Руководителям  |  Разработчикам  |  Производителям  |  Снабженцам
    © 2007 - 2018 Издательский дом Электроника
    Использование любых бесплатных материалов разрешено, при условии наличия ссылки на сайт «Время электроники».
    Создание сайтаFractalla Design | Сделано на CMS DJEM ®
    Контакты