Вход |  Регистрация
 
 
Время электроники Суббота, 15 декабря
 
 
  • Обзоры, аналитика
  • Интервью, презентации
  • Магазин
  • Календарь событий
  • RSS - каналы
  • Журналы
  • Реклама на сайте
  • Контакты
  • Вакансии

  • Живая электроника России
  • Мероприятия медиагруппы «Электроника»

    Это интересно!

    Ранее

    Опубликован первый стандарт по SSD-накопителям

    Созданная JEDEC Solid State Technology Association в апреле прошлого года рабочая группа JC-64.8 завершила работу над проектом стандарта для 1,8-дюймовых SSD-накопителей, оснащенных SATA-интерфейсом.

    Samsung начнет массовое производство памяти PRAM в июне

    Южнокорейская компания Samsung Electronics в следующем месяце намерена организовать массовое производство модулей памяти с изменяемым фазовым состоянием (PRAM).

    Fujitsu разработала «сверхсекретную» флешку

    Исследовательское подразделение Fujitsu разработало USB-накопитель для безопасного переноса корпоративных данных. Устройство обладает собственными процессором и аккумуляторной батареей.

  •  

    4 июня

    Энергонезависимая безбатарейная RAM от Cypress Semiconductor

    Компания AgigA Tech Inc., дочерняя фирма Cypress Semiconductor Corp., сообщает о разработке скоростной энергонезависимой RAM высокой плотности AgigaRAM.

    Н

    овые приборы имеют емкость от 4 Мбайт 32 Мбит) до 2 Гбайт (16 Гбит) и максимальную скорость передачи, сопоставимую с DRAM. Они могут найти применение в устройствах хранения информации, организации сети, связи, промышленной обработки и управления, медицинском оборудовании, игровых системы, ATM и кассовых терминалах, принтерах, сканерах, копировальных устройствах, автомобильных и военных системах.

    Для хранения данных при отключении питания в AgigaRAM не используется встроенная батарея. Память в активном режиме работает как обычная синхронная DRAM (SDRAM), а при отключения питания автоматически передает данные во NAND Flash, используя для этого энергию, накопленную во встроенном ионисторе (UltraCap). При включении питания, вся информация вновь перекачивается в DRAM.

    Компания предлагает два семейства приборов AgigaRAM – BALI и CAPRI, оптимизированных для использования во встраиваемых системах и промышленной автоматике. Плотность BALI составляет от 4 до 64 Мбайт, частота 100 МГц SDRAM, скорость передачи 200 Мбайт/с, управление по шине I2C, питание 3.3 В для 4 Мбайт и 5 В для 64 Мбайт, корпус 200-выводной SO-DIMM или карта Mezzanine, рабочая температура от 0 до 70°C, долговечность 3, 5 или 10 лет, встроенный ионистор (UltraCap).

    Семейство CARPI рассчитано на использование в системах хранения высокой надежности, промышленном, сетевом и связном оборудовании, имеет плотность от из 256 Мбайт до 2 Гбайт, скоростной DDR-800 интерфейс.

    Компания приступила к серийному производству приборов BALI AgigaRAM. Доступны оценочные комплекты. Производство семейства DDR2 CAPRI начнется в сентябре этого года, образцы приборов можно будет получить в июле.

    Datasheet: BALI.

    AgigA Tech, http://www.agigatech.com/

    Оцените материал:

    Источник: EETimes

    ee

    Комментарии

    0 / 0
    0 / 0

    Прокомментировать







     

     
     




    Rambler's Top100
    Руководителям  |  Разработчикам  |  Производителям  |  Снабженцам
    © 2007 - 2018 Издательский дом Электроника
    Использование любых бесплатных материалов разрешено, при условии наличия ссылки на сайт «Время электроники».
    Создание сайтаFractalla Design | Сделано на CMS DJEM ®
    Контакты