Вход |  Регистрация
 
 
Время электроники Вторник, 23 октября
 
 
  • Обзоры, аналитика
  • Интервью, презентации
  • Магазин
  • Календарь событий
  • RSS - каналы
  • Журналы
  • Реклама на сайте
  • Контакты
  • Вакансии

  • Живая электроника России
  • Мероприятия медиагруппы «Электроника»


    Это интересно!

    Новости


    Обзоры, аналитика


    Интервью, презентации

    Ранее

    Углеродные кольца увеличат емкость жестких дисков в 1000 раз

    Исследователи установили, что добавление углеродного кольца (например, ячейки графена) к атомам кобальта позволит увеличить плотность записи на жестких дисках в 1000 раз. Статья исследователей еще не принята к публикации, однако ее препринт доступен на сайте arXiv.org (http://arxiv.org/abs/0906.4645).

    Samsung и Numonyx разрабатывают спецификации памяти PCM

    Компания Samsung объявила о кооперации с Numonyx для разработки спецификаций памяти типа PCM (Phase Change Memory). Работа будет веститись под началом комитета JEDEC. Черновой вариант спецификаций ожидается в текущем году с последующим утверждением и выпуском продукции в 2010.

    Создан чип многослойной флэш-памяти емкостью 32 Гбит

    Компания Toshiba представила многослойную флэш-память с двумя битами на ячейку типа P-BiCS (Pipe-shaped Bit Cost Scalable).

  •  

    23 сентября

    Samsung Electronics начинает массовое производство памяти PRAM

    Компания Samsung Electronics объявила на Шестом ежегодном форуме по мобильным решениям (Samsung Mobile Solutions Forum) о начале серийного производства нового типа энергонезависимой памяти PRAM (phase change random access memory).

    К

    омпания подготовила к массовому выпуску 512 Мбит приборы с высокой производительностью и малым потреблением, которые, по ее мнению, в ближайшем будущем смогут заменить другие типы памяти в мобильных устройствах. Память PRAM обеспечивает более простой доступ к данным по сравнению с DRAM, позволяет сэкономить до 20% энергии аккумулятора.

    Новые 512 Мбит PRAM изготовлены по 60 нм технологии, позволяют стирать 64 Кслов (Kilowords, KWs) за 80 мс, что в 10 раз быстрее, чем у NOR флэш памяти. При размере сегмента в 5 Мбайт, PRAM может стирать и записывать данные приблизительно в 7 раз быстрее, чем NOR флэш.

    Более масштабируемая, чем другие архитектуры памяти, которые в настоящее время находятся в разработке, PRAM сочетает высокую скорость RAM при реализации функций и энергонезависимое хранение данных, как флэш.

    Источник: Samsung



    Статья опубликована в журнале "Электронные компоненты" № за год. Подписаться на журнал

    Оцените материал:

    ee

    Комментарии

    0 / 0
    0 / 0

    Прокомментировать







     

     
     




    Rambler's Top100
    Руководителям  |  Разработчикам  |  Производителям  |  Снабженцам
    © 2007 - 2018 Издательский дом Электроника
    Использование любых бесплатных материалов разрешено, при условии наличия ссылки на сайт «Время электроники».
    Создание сайтаFractalla Design | Сделано на CMS DJEM ®
    Контакты