Вход |  Регистрация
 
 
Время электроники Четверг, 18 октября
 
 
  • Обзоры, аналитика
  • Интервью, презентации
  • Магазин
  • Календарь событий
  • RSS - каналы
  • Журналы
  • Реклама на сайте
  • Контакты
  • Вакансии

  • Живая электроника России
  • Мероприятия медиагруппы «Электроника»


    Это интересно!

    Новости


    Обзоры, аналитика


    Интервью, презентации

    Ранее

    Дуплексеры на основе объемных акустических резонаторов для стандарта UMTS

    Компания Avago Technologies представила три новые малогабаритные модели дуплексеров для применения в мобильных телефонах и абонентских пунктах, работающих в диапазонах 2, 4 и 8 стандарта UMTS.

    Новые n-канальные МОП транзисторы от Fairchild Semiconductor

    Компания Fairchild Semiconductor представила новые силовые n-канальные МОП-транзисторы FDZ192NZ и FDZ372NZ, имеющие низкое значение сопротивления «сток-исток» в открытом состоянии и высокий КПД.

    Эволюция жестких дисков может затронуть пользователей Windows XP

    В начале следующего года все производители жестких дисков перейдут на использование нового так называемого «передового формата» («advanced format»). У пользователей операционной системы Windows XP при замене старых жестких дисков на новые могут возникнуть определенные проблемы

  •  

    19 апреля

    Samsung разработала первую в мире 20-нм память NAND

    Компания Samsung объявила о запуске 20-нм технологии производства NAND-памяти.

    К

    ак сообщается в пресс-релизе, соответствующие чипы будут использоваться в картах памяти SD, а также в качестве встроенных решений (например, в смартфонах). По словам вице-президента Samsung Су-Ин Чо, при производстве чипов используются самые передовые технологии.

    «Всего через год после освоения 30-нм техпроцесса мы сделали доступной норму нового поколения, которая превосходит большинство требований пользователей к высокопроизводительной и емкой NAND-памяти», – отметил Су-Ин Чо.

    Он уточнил, что производительность 20-нм чипов на 50% выше NAND Flash предыдущего поколения. Новая технология позволит выпускать карты памяти SD, обеспечивающие чтение данных на скорости до 20 МБ/с и запись на уровне 10 МБ/с.

    Поставки чипов, выполненных по 20-нм технологии, начнутся в текущем году.

    Оцените материал:

    Источник: Onliner

    ee

    Комментарии

    0 / 0
    0 / 0

    Прокомментировать







     

     
     




    Rambler's Top100
    Руководителям  |  Разработчикам  |  Производителям  |  Снабженцам
    © 2007 - 2018 Издательский дом Электроника
    Использование любых бесплатных материалов разрешено, при условии наличия ссылки на сайт «Время электроники».
    Создание сайтаFractalla Design | Сделано на CMS DJEM ®
    Контакты