Вход |  Регистрация
 
 
Время электроники Четверг, 13 декабря
 
 
  • Обзоры, аналитика
  • Интервью, презентации
  • Магазин
  • Календарь событий
  • RSS - каналы
  • Журналы
  • Реклама на сайте
  • Контакты
  • Вакансии

  • Живая электроника России
  • Мероприятия медиагруппы «Электроника»

    Это интересно!

    Новости


    Обзоры, аналитика

    Итоги Премии «Живая электроника России — 2018»


    Интервью, презентации

    Ранее

    Дуплексеры на основе объемных акустических резонаторов для стандарта UMTS

    Компания Avago Technologies представила три новые малогабаритные модели дуплексеров для применения в мобильных телефонах и абонентских пунктах, работающих в диапазонах 2, 4 и 8 стандарта UMTS.

    Новые n-канальные МОП транзисторы от Fairchild Semiconductor

    Компания Fairchild Semiconductor представила новые силовые n-канальные МОП-транзисторы FDZ192NZ и FDZ372NZ, имеющие низкое значение сопротивления «сток-исток» в открытом состоянии и высокий КПД.

    Эволюция жестких дисков может затронуть пользователей Windows XP

    В начале следующего года все производители жестких дисков перейдут на использование нового так называемого «передового формата» («advanced format»). У пользователей операционной системы Windows XP при замене старых жестких дисков на новые могут возникнуть определенные проблемы

  •  

    19 апреля

    Samsung разработала первую в мире 20-нм память NAND

    Компания Samsung объявила о запуске 20-нм технологии производства NAND-памяти.

    К

    ак сообщается в пресс-релизе, соответствующие чипы будут использоваться в картах памяти SD, а также в качестве встроенных решений (например, в смартфонах). По словам вице-президента Samsung Су-Ин Чо, при производстве чипов используются самые передовые технологии.

    «Всего через год после освоения 30-нм техпроцесса мы сделали доступной норму нового поколения, которая превосходит большинство требований пользователей к высокопроизводительной и емкой NAND-памяти», – отметил Су-Ин Чо.

    Он уточнил, что производительность 20-нм чипов на 50% выше NAND Flash предыдущего поколения. Новая технология позволит выпускать карты памяти SD, обеспечивающие чтение данных на скорости до 20 МБ/с и запись на уровне 10 МБ/с.

    Поставки чипов, выполненных по 20-нм технологии, начнутся в текущем году.

    Оцените материал:

    Источник: Onliner

    ee

    Комментарии

    0 / 0
    0 / 0

    Прокомментировать







     

     
     




    Rambler's Top100
    Руководителям  |  Разработчикам  |  Производителям  |  Снабженцам
    © 2007 - 2018 Издательский дом Электроника
    Использование любых бесплатных материалов разрешено, при условии наличия ссылки на сайт «Время электроники».
    Создание сайтаFractalla Design | Сделано на CMS DJEM ®
    Контакты