Вход |  Регистрация
 
 
Время электроники Воскресенье, 8 декабря
 
 
  • Обзоры, аналитика
  • Интервью, презентации
  • Магазин
  • Календарь событий
  • RSS - каналы
  • Журналы
  • Реклама на сайте
  • Контакты
  • Вакансии

  • Живая электроника России
  • Мероприятия медиагруппы «Электроника»


    Это интересно!

    Ранее

    Твердотельные накопители станут доступнее через 2 года

    На твердотельные накопители в IT-индустрии возлагают большие надежды: компактные, быстрые и экономичные в вопросах энергопотребления устройства могут стать отличной заменой устаревающим жестким дискам. Однако произойдет это не ранее чем через два года, считают эксперты. Пока SSD еще слишком дороги по сравнению с HDD.

    17 часов HD-видео в одной микросхеме

    Toshiba выпустила чип для MП3- плееров и смартфонов емкостью 128 ГБ.

    Samsung разработала первую в мире 20-нм память NAND

    Компания Samsung объявила о запуске 20-нм технологии производства NAND-памяти.

  •  

    20 августа

    MagSil проливает свет на состояние разработок MRAM-памяти

    После 7 лет обнадеживающей научно-исследовательской работы по созданию MRAM компания MagSil, наконец, сообщила о некоторых деталях создания этой технологии.

    Корпорация MagSil разрабатывает архитектуру ячеек MRAM (MRAM – Magnetoresistive Random-Access Memory – магниторезистивная оперативная память). Структура этого запоминающего устройства основана на использовании схемы магнитного туннельного перехода. Разработка энергонезависимой памяти MRAM ведется с 1990 гг., при этом многие заявления о ее создании оказались фальшивыми. Это труднореализуемая и плохо масштабируемая технология.

    По сообщениям прессы, технология этой компании базируется на патенте Массачусетского технологического института (МТИ), исключительное право на использование которого принадлежит MagSil. Корпорация MagSil и МТИ предъявили иски к другим компаниям, связанные с нарушениями патентного права.

    В 2006 и 2007 гг. MagSil создала 1-Мбит MRAM. В настоящее время MagSil разрабатывает устройства на базе технологий 130- и 90-нм с размером ячейки 10F2. По словам Криша Мани (Krish Mani), основателя и главного технического директора MagSil, компания «очень скоро» разработает автономное MRAM-устройство. Точная дата не была уточнена. Со временем MagSil планирует создать 64-Мбит устройство.

    Усилия MagSil сосредоточены на создании высокоскоростного устройства. Мани рассчитывает на то, что в ближайшее время исследователям все-таки удастся заменить SRAM-память, за которой последует встраиваемая RAM.

    Недавно MagSil и МТИ подписали внесудебное соглашение с корпорацией Western Digital, в соответствии с которым эта корпорация и ее дочерние компании получили лицензию на патент, иск по которому рассматривается в суде.

    До сих пор не закончилась тяжба в федеральном суде Делавара против компаний Hitachi Global Storage Technologies, Hitachi Data Systems, Hitachi America и Shenzen ExcelStor Technology. Ответчики, которые производят и продают жесткие диски, а также их компоненты, используя туннельную магниторезистивную технологию, обвиняются в нарушении права патентовладельца – МТИ.

    Помимо Western Digital, к настоящему моменту MagSil достигла внесудебного соглашения с компаниями Seagate Technologies, SAE Magnetics and Headway Technologies.
    Несколько компаний предприняло неудачные попытки коммерциализировать MRAM. Другие, в т.ч. Crocus Technology, Grandis, IBM-TDK, Samsung, Toshiba и Avalanche Technology, намереваются стать участниками рынка MRAM. Некоторое время Everspin (компания, отпочковавшаяся от Freescale Semiconductor) продавала запоминающие MRAM-устройства для замены SRAM.

    Источник: EETimes.com

    Оцените материал:

    Комментарии

    0 / 0
    0 / 0

    Прокомментировать







     

    Горячие темы

     
     




    Rambler's Top100
    Руководителям  |  Разработчикам  |  Производителям  |  Снабженцам
    © 2007 - 2019 Издательский дом Электроника
    Использование любых бесплатных материалов разрешено, при условии наличия ссылки на сайт «Время электроники».
    Создание сайтаFractalla Design | Сделано на CMS DJEM ®
    Контакты