Вход |  Регистрация
 
 
Время электроники Суббота, 15 декабря
 
 
  • Обзоры, аналитика
  • Интервью, презентации
  • Магазин
  • Календарь событий
  • RSS - каналы
  • Журналы
  • Реклама на сайте
  • Контакты
  • Вакансии

  • Живая электроника России
  • Мероприятия медиагруппы «Электроника»

    Это интересно!

    Ранее

    Прорыв в области NAND флэш технологии

    Intel и Micron разработали суперскоростной интерфейс для NAND флэш памяти, в пять раз превышающий по скорости современные приборы

    Опубликована новая редакция спецификации на встраиваемую флэш память

    Две ассоциации, MMCA и JEDEC, опубликовали новую редакцию стандарта на встраиваемую флэш память - Embedded MMC (eMMC) and Card Product Standard v.4.3

    Samsung и Hynix будут совместно разрабатывать память MRAM

    Samsung Electronics Со. Ltd. и Hynix Semiconductor Inc. будут сотрудничать в разработке устройств памяти следующее поколения, включать [[MRAM]], сообщает The Korea Times

  •  

    7 февраля

    Первые коммерческие образцы «фазовой памяти» от Intel и STMicroelectronics

    Intel и STMicroelectronics направили первые образцы энергонезависимой памяти, основанной на изменении фазового состояния вещества - Phase Change Memory (PCM), заказчикам для тестирования

    Н

    а Международной конференции по твердотельным приборам ISSCC 2008 (Solid-State Circuits Conference, 3-7 февраля 2008 года, Сан-Франциско), Intel и STMicroelectronics сообщили о своих успехах в разработке энергонезависимой памяти, основанной на изменении фазового состояния вещества - Phase Change Memory (PCM).

    Компании представили чип «Alverstone», изготовленный по технологии PCM – первый в отрасли коммерческий прибор, который может стать прототипом для нового семейства энергонезависимой памяти. Чип обладает высокой скоростью записи и чтения, потребляет меньше энергии, чем стандартные флэш, позволяет нормально видеть его в RAM.

    PCM в течение длительного времени была предметом научных исследований. Было предприято несколько попыток (безуспешных) вывести этот тип памяти на рынок. Возможно, с разработкой «Alverstone», Intel и STMicroelectronics, удастся решить эту задачу.

    «Это наиболее значимое достижение в области энергонезависимой памяти за последние 40 лет», считает Ed Doller, главный технолог из Numonyx, совместного предприятия Intel, STMicroelectronics и Francisco Partners, созданного в мае 2007 года для выпуска энергонезависимой памяти.

    «Было предпринято несколько попыток разработать технологию новой энергонезависимой памяти, однако все они остались на уровне концепций. PCM казалась наиболее привлекательным решением – Intel и STMicroelectronics сегодня представили PCM на суд клиентов. Это важный этап для промышленности и для наших компаний».

    Компании также представили многоуровневую схему памяти (MLC, multi-level cell) на основе технологии PCM. Переход от одноуровневых ячеек (SLC) к многоуровневым (MLC) позволяет значительно увеличить плотность памяти и снизить ее стоимость в расчете на Мбайт.

    В 2003 году Intel и STMicroelectronics сформировали совместную программу JDP (Joint Development Program) для разработки Phase Change Memory. В 2004 году на конференции VLSI, JDP продемонстрировала память плотностью 8 Мбит, изготовленную по 180 нм технологии, а в 2006 году на VLSI Symposium впервые была показана 90 нм 128 Мбит Alverstone.

    Оцените материал:

    Комментарии

    0 / 0
    0 / 0

    Прокомментировать







     

     
     




    Rambler's Top100
    Руководителям  |  Разработчикам  |  Производителям  |  Снабженцам
    © 2007 - 2018 Издательский дом Электроника
    Использование любых бесплатных материалов разрешено, при условии наличия ссылки на сайт «Время электроники».
    Создание сайтаFractalla Design | Сделано на CMS DJEM ®
    Контакты