Вход |  Регистрация
 
 
Время электроники Пятница, 14 декабря
 
 
  • Обзоры, аналитика
  • Интервью, презентации
  • Магазин
  • Календарь событий
  • RSS - каналы
  • Журналы
  • Реклама на сайте
  • Контакты
  • Вакансии

  • Живая электроника России
  • Мероприятия медиагруппы «Электроника»

    Это интересно!

    Ранее

    Atmel переводит ИС флэш-памяти DataFlash емкостью 1 Мбит на 0.13 мкм технологию

    Флэш память AT45DB011B (1 Мбит, семейство DataFlash), выпускаемая по 0.25 мкм CMOS технологии, [[переведена на технологию 0.13 мкм]], благодаря чему снижены размеры кристалла и увеличено быстродействие с 20 МГц до 66 МГц

    Первые коммерческие 16 Гбит NAND флэш по технологии 3-Bit-Per-Cell

    Компания SanDisk в своем пресс-релизе сообщает, что завершила разработку 3-битовой (3-Bit-Per-Cell, x3) [[NAND флэш памяти]] и намерена в марте-апреле 2008 года начать серийное производство первых коммерческих 16 Гбит приборов

    Первые коммерческие образцы «фазовой памяти» от Intel и STMicroelectronics

    Intel и STMicroelectronics направили первые образцы энергонезависимой памяти, основанной на изменении фазового состояния вещества - Phase Change Memory (PCM), заказчикам для тестирования

  •  

    13 февраля

    Intel и STMicroelectronics сознательно задержали выпуск «фазовой памяти»

    Первые прототипы 128 Мбит [[фазовой памяти]] исследователи из Intel and STMicro изготовили еще в июне 2007 года, используя 90 нм технологию

    В

    марте 2007 года Ed Doller, главный технолог Intel, во время телеконференции заявил, что компания отправит коммерческие образцы 128 Мбит 90 нм фазовой памяти заказчикам в первой половине 2007 года. Он также уверял, что в конце года начнется серийное производство приборов.

    Все первую половину 2007 года инженеры совершенствовали память и отрабатывали технологию на пилотной линии в Agrate (Италия), произвели некоторые доработки, которые позволили повысить степень интеграции схемы. Был сэкономлен один критический шаблон, что позволило сделать память более масштабируемой, уменьшить разброс электрических параметров в пределах матрицы.

    Поскольку прибор еще не поступил в серийное производство, инженеры решили внести эти изменения в 90 нм прототип, чтобы облегчит переход к следующему 65 нм поколению памяти. «Мы могли бы изготовить 90 нм коммерческие приборы еще в четвертом квартале 2007 года», говорит Paolo Cappelletti, вице-президент по перспективным технологиям из STMicro.

    «Но мы решили совместить три события – начать поставки коммерческих приборов, выступить с докладом на ISSCC 2008 по многоуровневым PCM и продемонстрировать образцы на конференции в Барселоне».

    Дополнительная информация здесь

    Оцените материал:

    Комментарии

    0 / 0
    0 / 0

    Прокомментировать







     

     
     




    Rambler's Top100
    Руководителям  |  Разработчикам  |  Производителям  |  Снабженцам
    © 2007 - 2018 Издательский дом Электроника
    Использование любых бесплатных материалов разрешено, при условии наличия ссылки на сайт «Время электроники».
    Создание сайтаFractalla Design | Сделано на CMS DJEM ®
    Контакты