Вход |  Регистрация
 
 
Время электроники Понедельник, 10 декабря
 
 
  • Обзоры, аналитика
  • Интервью, презентации
  • Магазин
  • Календарь событий
  • RSS - каналы
  • Журналы
  • Реклама на сайте
  • Контакты
  • Вакансии

  • Живая электроника России
  • Мероприятия медиагруппы «Электроника»

    Это интересно!

    Ранее

    STMicroelectronics и Intel завершают создание совместного предприятия по производству памяти

    По данным EE Times Europe, корпорация Intel и компания ST Microelectronics NV в ближайшее время подпишут соглашение об объединении прежнего NOR и современного NAND флэш бизнеса и создании на их основе совместного предприятия Numonyx B.V.

    Награждена микросхема 4-мегабитного ферроэлектрического ОЗУ (FRAM) от Ramtron

    Микросхема FM22L16 получила награду [[«Продукт года»]] по версии EPC (Electronic Products China). Она обошла сотни других претендентов по новизне разработки, отношению цена/качество и технологическому прорыву.

    Микросхемы синхронизации от National Semiconductor с низким джиттером выходного сигнала

    Компания National Semiconductor представила [[семейство из трех буферов, делителей и распределителей тактовых сигналов]], которые позволяют упростить разработку блоков системной синхронизации и обеспечивают наименьший в отрасли уровень аддитивных помех.

  •  

    2 апреля

    Hynix будет использовать технологию STT-RAM от Grandis

    Компании Hynix Semiconductor и Grandis заключили лицензионное соглашение по использованию объектов интеллектуальной собственности Grandis в микросхемах памяти Hynix. В частности, соглашение касается [[технологии STT-RAM]] (spin-transfer torque random access memory).

    Память на основе технологии STT-RAM – это энергонезависимая память нового поколения, которая по своим характеристикам значительно превосходит традиционные магниторезистивные ОЗУ (MRAM).

    Она сочетает в себе все преимущества SRAM и DRAM. Микросхемы STT-RAM более экономичны, долговечны и имеют высокое быстродействие.

    Еще одним преимуществом нового подхода является его применимость к интегральным схемам с проектными нормами менее 40 нм. Это позволит изготавливать дешевые схемы памяти с высокой степенью интеграции.

    Оцените материал:

    kk

    Комментарии

    0 / 0
    0 / 0

    Прокомментировать







     

     
     




    Rambler's Top100
    Руководителям  |  Разработчикам  |  Производителям  |  Снабженцам
    © 2007 - 2018 Издательский дом Электроника
    Использование любых бесплатных материалов разрешено, при условии наличия ссылки на сайт «Время электроники».
    Создание сайтаFractalla Design | Сделано на CMS DJEM ®
    Контакты