Вход |  Регистрация
 
 
Время электроники Четверг, 13 декабря
 
 
  • Обзоры, аналитика
  • Интервью, презентации
  • Магазин
  • Календарь событий
  • RSS - каналы
  • Журналы
  • Реклама на сайте
  • Контакты
  • Вакансии

  • Живая электроника России
  • Мероприятия медиагруппы «Электроника»

    Это интересно!

    Новости


    Обзоры, аналитика

    Итоги Премии «Живая электроника России — 2018»


    Интервью, презентации

    Ранее

    Honeywell представила радиационностойкие ASIC и память

    Представитель компании Honeywell International, выступая с докладом на Национальном космическом симпозиуме (24th National Space Symposium, 7-10 апреля 2008, Колорадо-Спрингс) представил разработанные микроэлектронной группой компании [[радиационностойкие ASIC HX5000]] и схемы памяти.

    Компания STMicroelectronics завершила формирование семейства последовательной памяти EEPROM

    STMicroelectronics предлагает [[полный комплект последовательной памяти EEPROM]] емкостью от 2 до 128 Кбит с интерфейсами I2C и SPI в корпусах MLP.

    Микросхемы DDR2 DRAM с наивысшей емкостью и низким энергопотреблением от Samsung

    Компания Samsung Semiconductor запустила в массовое производство [[микросхемы DDR2 DRAM с наивысшей информационной емкостью]] и наименьшим потреблением энергии для применения в серверах.

  •  

    11 апреля

    IBM пытается заново изобрести память

    Корпорация IBM разрабатывает новый тип памяти, в которой данные хранятся не в ячейках, а в намагниченных U-образных нанопроводниках, расположенных перпендикулярно к плоскости чипа.

    З

    апись битов-атомов осуществляется в основании проводника. При этом атомы, «записанные» в проводник, могут перемещаться по нему под действием электрического тока. Всего в такой проводник могут уместиться тысячи атомов-битов. Сама же микросхема памяти состоит из множества таких U-образных проводников, расположенных рядом друг с другом.

    По словам разработчиков, подобная память обладает в 100 раз большей емкостью по сравнению с современными носителями данных, а запись информации происходит в 100 тыс. раз быстрее.

    Новая память «Racetrack Memory» не имеет подвижных частей, как жесткие диски, и практически не изнашивается, в отличие от флэш-памяти, которая теряет свою надежность в среднем после 10 тыс. циклов, отмечает Стюарт Паркин (Stuart Parkin), исследователь из IBM.

    На разработку прототипа памяти ушло 4 года. Перед выходом такой памяти на рынок может пройти еще 3-4 года, считают ученые.

    Дополнительная информация здесь

    Оцените материал:

    ee

    Комментарии

    0 / 0
    0 / 0

    Прокомментировать







     

     
     




    Rambler's Top100
    Руководителям  |  Разработчикам  |  Производителям  |  Снабженцам
    © 2007 - 2018 Издательский дом Электроника
    Использование любых бесплатных материалов разрешено, при условии наличия ссылки на сайт «Время электроники».
    Создание сайтаFractalla Design | Сделано на CMS DJEM ®
    Контакты