Вход |  Регистрация
 
 
Время электроники Четверг, 13 декабря
 
 
  • Обзоры, аналитика
  • Интервью, презентации
  • Магазин
  • Календарь событий
  • RSS - каналы
  • Журналы
  • Реклама на сайте
  • Контакты
  • Вакансии

  • Живая электроника России
  • Мероприятия медиагруппы «Электроника»

    Это интересно!

    Новости


    Обзоры, аналитика

    Итоги Премии «Живая электроника России — 2018»


    Интервью, презентации

    Ранее

    8-выводная последовательная флэш-память с интерфейсом SPI от Winbond

    Winbond представляет первую в промышленности по заявлению производителя 8-выводную последовательную флэш-память с интерфейсом SPI, который поддерживает режимы одно/двух/четырех канального [[считывания данных]]

    Новый цифровой температурно-стабилизированный кварцевый генератор от Maxim

    Цифровой температурно-стабилизированный [[кварцевый генератор]] (TCXO) обеспечивает высокую стабильность во всем температурном диапазоне

    ИС часов реального времени от Maxim уменьшает количество компонентов при разработке

    DS1372 ИС часов реального времени со встроенным двоичным счетчиком и уникальным 64-разрядным серийным номером позволяет уменьшить количество компонентов [[при разработке]]

  •  

    11 октября

    Toshiba наладит 30 нм производство к 2010 году

    Компания Toshiba планирует начать массовое производство микросхем флэш-памяти с применением норм [[30-нм технологического процесса]], начиная с марта 2007 года

    К

    омпания Toshiba планирует начать массовое производство микросхем флэш-памяти с применением норм 30-нм технологического процесса, начиная с марта 2007 года, заявил во вторник 9 октября официальный представитель компании Hiroko Mochida, сообщает информационное агентство Reuters.

    Toshiba, занимающая второе место в мировом рейтинге производителей модулей флэш-памяти, наладит выпуск 30-нм чипов на фабрике Йоккаичи (Yokkaichi), расположенной в самом центре острова Хонсю, объявил Мошида. Сообщается, что 30-нм технологический процесс станет следующей ступенью модернизации производства на фабрики сразу после внедрения 43-нм норм, планируемого в марте 2008 года.

    Напомним, что инициатива в развертывании 30-нм технологического процесса не принадлежит Toshiba. Ее главный конкурент, ведущий мировой производитель чипов NAND, корейская компания Samsung Electronics также намерена ввести в строй 32-нм производство модулей памяти к 2010 году в тесном сотрудничестве с американскими IBM и Freescale Semiconductor, германской Infineon Technologies AG и сингапурской Chartered Semiconductor.

    Понимая трудности, которые ожидают компании-одиночки в любой гонке современных технологий, руководство компании Toshiba ведет переговоры с японскими корпорациями: Fujitsu Ltd и NEC Electronics Ltd, для объединения усилий в разработке современных чипов памяти и снижению затрат на их производство.

     

    Оцените материал:

    Источник: 3dnews

    Комментарии

    0 / 0
    0 / 0

    Прокомментировать







     

     
     




    Rambler's Top100
    Руководителям  |  Разработчикам  |  Производителям  |  Снабженцам
    © 2007 - 2018 Издательский дом Электроника
    Использование любых бесплатных материалов разрешено, при условии наличия ссылки на сайт «Время электроники».
    Создание сайтаFractalla Design | Сделано на CMS DJEM ®
    Контакты