Вход |  Регистрация
 
 
Время электроники Пятница, 6 декабря
 
 


Это интересно!

Ранее

Новые кристаллы для гибридных сетей передачи данных

Кристалл CG5110, разрабатываемый инженерами компании Sigma Designs, будет поддерживать новые и уже существующие стандарты передачи данных в кабельных, телефонных сетях и сетях электропитания. Появление микросхемы CG5110 свидетельствует о росте тенденции создания гибридных широкополосных домашних сетей.

КМОП-генератор с точностью выше, чем у кварца

Компания Integrated Device Technology (IDT) представила полностью кремниевый КМОП-генератор, точность воспроизведения частоты которого, по ее мнению, самая высокая в отрасли.

TI открывает Центр знаний «Электропитание процессоров»

Компания Texas Instrumets, мировой лидер в производстве полупроводников для аналоговых и цифровых встроенных и прикладных решений, открывает для пользователей рунета Центр знаний «Электропитание процессоров».

 

29 октября

IBM, Infineon, GlobalFoundries, EU исследуют энергоэффективность TFET-транзисторов

Участники проекта Project Steeper намереваются оценить физические и практические пределы повышения рабочих характеристик туннельных полевых транзисторов с использованием нанопроволок III-V и возможности создания перспективных энергоэффективных цифровых устройств.

В

число участников проекта, координатором которого выступит Федеральная политехническая школа Лозанны, вошли инженеры, исследователи из трех корпораций – IBM, Infineon, GlobalFoundries – и ряд академических и научно-исследовательских организаций: Лаборатория электроники и информационных технологий при французской комиссии по атомной энергетике, Исследовательский центр в Юлихе и Технический университет Дортмунда в Германии, Болонский университет, Удинский университет и Пизанский университет в Италии.

«Проблема рассеяния энергии стала одним из главных вызовов современной электроники, особенно после того, как многократно выросло количество используемых устройств во всем мире, – заявил Хейке Рил (Heike Riel), руководитель исследовательской группы по наноэлектронике, IBM. – Мы надеемся, что исследование туннельных полевых транзисторов с использованием полупроводниковых нанопроволок позволит значительно снизить энергопотребление элементов интегральных схем, которые найдут применение начиная от самых миниатюрных устройств и заканчивая большими суперкомпьютерами».

В частности, предполагается снизить рабочее напряжение устройств в 10 раз – до 0,5 В.

Создание TFET с характеристиками большей крутизны обеспечит намного более резкий переход из выключенного состояния во включенное по сравнению, например, с 60 мВ на декаду тока MOSFET при комнатной температуре. В новых устройствах также позволит уменьшить допороговый ток утечки и рабочее напряжение.

Проект не оправдается, если не будут созданы энергоэффективные транзисторы с рабочим напряжением 0,5 В. С этой целью исследуется возможность разработки туннельных полевых транзисторов на основе кремния, структуры кремний-германий и полупроводниковой нанопроволоки III-V.

По заявлению участников группы, механизм квантово-механического межзонного туннелирования позволит получить характеристику TFET с более крутым наклоном по сравнению со стандартным MOSFET. Программа Project Steeper началась в июне 2010 г. и продлится в течение трех лет.

 

Источник: EDN

Оцените материал:

Комментарии

0 / 0
0 / 0

Прокомментировать







 

Горячие темы

 
 




Rambler's Top100
Руководителям  |  Разработчикам  |  Производителям  |  Снабженцам
© 2007 - 2019 Издательский дом Электроника
Использование любых бесплатных материалов разрешено, при условии наличия ссылки на сайт «Время электроники».
Создание сайтаFractalla Design | Сделано на CMS DJEM ®
Контакты