Компания AMD совместно с IBM изготовила образец микросхемы, в которой первый слой металлических соединений целиком создан с помощью EUV-литографии. В дальнейшем ученые должны убедиться, можно ли применять EUV-литографию для изготовления всех слоев микросхемы. Благодаря данной технологии в 2016 г. индустрия сможет перейти на 22-нм технологический процесс.
Компании AMD и IBM объявили о получении «полномасштабного» пробного рабочего образца микросхемы, в которой первый слой металлических соединений создан с помощью EUV-литографии (литографии с использованием жесткого ультрафиолетового излучения).
Предыдущие образцы, полученные с помощью EUV-литографии, не были «полномасштабными», поскольку при их производстве EUV-литография была задействована лишь для малой части микросхемы.
Пробный образец микросхемы размером 22 x 33 мм был изготовлен с использованием 45-нм технологии.
Сначала пробная микросхема AMD прошла обработку на фабрике Fab 36 в Дрездене, Германия. Затем подложка с пробной микросхемой была передана в исследовательский центр IBM, находящийся в Олбани, штат Нью-Йорк, где при помощи сканера был перенесен первый слой металлических соединений между транзисторами, изготовленными в Германии. Результаты были представлены доктором Бруно Ла Фонтеном (Bruno La Fontaine) из AMD.
«Эта важная демонстрация потенциала EUV-литографии, которая будет использоваться в полупроводниковом производстве в грядущие годы, вдохновляет всех нас, — говорит Фонтен. — Хотя предстоит еще немалая работа, прежде чем EUV-литография сможет использоваться в крупномасштабном производстве».
Следующим шагом проверки применимости EUV-литографии в производстве станет использование технологии не только для металлических соединений, но и для всех слоев микросхемы.
Литография позволяет переносить на множество слоев кремниевой подложки сложные микросхемы с миллионами транзисторов. То, насколько миниатюрными могут быть транзисторы и их соединения, напрямую зависит от длины волны света, используемого для переноса схемы на подложку. В EUV-литографии используется длина волны 13,5 нм, которая значительно короче применяемой сегодня в литографии длины волны 193 нм.
EUV-литография должна быть полностью проверена и допущена к производству до 2016 г., на который запланировано введение 22-нм технологического процесса. Современные микросхемы имеют топологический уровень 45 нм. Такие чипы выпускает, например, Intel, однако сама AMD планирует приступить к производству аналогичных микросхем только во II половине 2008 г.