Вход |  Регистрация
 
 
Время электроники Суббота, 17 ноября
 
 

Это интересно!

Ранее

DS8113 - интерфейс для смарт-карт с малым энергопотреблением

19 марта 2008 г. компания Maxim Integrated Products представила микросхему DS8113 - интерфейс для смарт-карт с малым энергопотреблением, предназначенным для применения в платежных терминалах, ТВ приставках и других устройствах. Сегодня этот прибор можно [[приобрести в Компэл.]]

В «Российском НИИ космического приборостроения» подведены итоги результатов научных исследований

В Федеральном государственном унитарном предприятии «Российский научно-исследовательский институт космического приборостроения» [[подведены итоги работы]] тематических подразделений по публикациям результатов научных исследований в 2007 году.

На АвтоВАЗе началось макетное проектирование роботов для нужд отечественной промышленности

АвтоВАЗ разрабатывает технологию [[серийного производства роботов]] для нужд отечественной промышленности.

 

2 апреля

NXP представляет самый миниатюрный в мире высокоскоростной MOSFET

NXP представляет сегодня новую серию малосигнальных (MOSFET транзистров размещенных в миниатюрном корпусе SOT883.

Б

лагодаря своим ультрамалым размерам (всего 1x0.6 мм) MOSFET транзисторы компании NXP имеют показатели  рассеиваемой мощности и быстродействия сравнимые с показателями транзисторов в корпусе SOT23, в то время как занимают только 14% их площади на печатной плате.

MOSFET транзисторы в корпусе SOT883 разработаны для широкого применения в приложениях, включая модули DC/DC-преобразователей, источники питания для  жидкокристаллических телевизоров, переключатели нагрузки для мобильных телефонов и другой портативной техники.

Имея низкий профиль - 0.5 мм и лучшую в данном классе скорость переключения сигнала, а также очень низкое сопротивление открытого канала Rds(on), данная серия транзисторов позволяет производителям удовлетворять потребности заказчиков в более компактных и высокоэффективных решениях.

По словам Дина Монтано (Dean Montano), менеджера по маркетингу продукции компании  NXP Semiconductors, «рыночный спрос на все более компактные портативные устройства с увеличенной емкостью аккумуляторов заставляет производителей интегрировать сложные функциональные решения в меньшие по размеру устройства». 

Он также утверждает, что «созданные на проверенной бессвинцовой технологии изготовления плоских корпусов  с четырёхсторонним расположением выводов (Quad Flat technology), транзисторы MOSFETs  SOT883 компании NXP имеют эффективный и экологически чистый корпус,  который все еще обеспечивает высокий уровень производительности, необходимый для работы современных сотовых телефонов и компьютерные приложения для мобильных устройств.

В дополнение к существенному уменьшению площади MOSFET, NXP создала безвыводные корпуса, что позволяет высвободить дополнительное место на печатной плате и улучшить тепловые характеристики. Сочетание превосходных показателей теплового сопротивления и сопротивления открытого канала Rds(on) менее чем 0.65 Ом при напряжении в 2.5 В, позволяет новым MOSFET выдерживать предельную нагрузку по току больше, чем это делают MOSFET размером 1x0.6 мм.

Транзисторы новой серии также демонстрируют лучшую в этом классе скорость переключения со временем включения 12-16 нс и временем выключения 17-24 нс.

NXP предлагает самое широкое портфолио полупроводников с безвыводными корпусами в электронной промышленности для различных рынков сбыта.

Оцените материал:

ff ee

Комментарии

0 / 0
0 / 0

Прокомментировать







 

Горячие темы

 
 




Rambler's Top100
Руководителям  |  Разработчикам  |  Производителям  |  Снабженцам
© 2007 - 2018 Издательский дом Электроника
Использование любых бесплатных материалов разрешено, при условии наличия ссылки на сайт «Время электроники».
Создание сайтаFractalla Design | Сделано на CMS DJEM ®
Контакты