Вход |  Регистрация
 
 
Время электроники Вторник, 12 декабря
 
 

Это интересно!

Ранее

Доходы на рынке САПР во II кв. выросли в Азиатско-тихоокеанском регионе до 41,7%

Япония – единственная страна в Азиатско-тихоокеанском регионе, показатели продаж которой снизились по итогам на конец июня, сообщается в докладе Консорциума EDA.

Показатели Intel в III кв. превзошли прогнозы

В отчете Intel за III кв. сообщается, что ее доходы впервые составили 11,1 млрд долл., что на 18% выше прошлогоднего показателя.

Motorola предъявляет иск против Apple за нарушение патента

Компания Motorola обратилась в Комитет по международной торговле США (ITC) с требованием запретить продажи Apple iPhone, iPad, iTouch и некоторые модели компьютеров Mac, которые якобы нарушают патенты этой компании.

 

14 октября

Начало продаж 30-нм DRAM-устройств на фоне падающего рынка

Продажи 30-нм DRAM начинаются в то время, когда рынок замедляет, если не сказать, прекращает свой рост, по мнению аналитиков агентства VLSI Research Inc. Первая половина 2010 г. была звездным часом для DRAM, но теперь поставщики наблюдают иную картину.

С

огласно VLSI, рынок запоминающих устройств охлаждается особенно быстро, что обусловлено низким спросом и ростом поставок. Ситуация с DRAM на рынке наличного товара стала сложной и не предвещает ничего хорошего для рынка фьючерсных контрактов.

Тем не менее компания Samsung, лидер в производстве DRAM, стала первым в мире производителем, приступившим к поставкам 30-нм DRAM-устройств. На проходящей выставке электроники Хун-джун Ким (Hyun-joong Kim), инженер подразделения запоминающих устройств Samsung, представил 2-Гбит кристалл DDR3 DRAM, произведенный по технологии 35 нм.

Компании Elpida, Hynix и Micron соревнуются друг с другом за второе место в гонках по созданию 30-нм DRAM. В прошлый месяц японская компания Elpida Memory Inc. заявила о завершении разработки 30-нм 2-Гбит устройства DDR3 SDRAM. Рабочее напряжение нового DDR3-устройства Elpida составляет 1,35 В, скорость обмена данными –1,866 Мбит/с. Elpida планирует начать поставки образцов этих микросхем в декабре 2010 г. Запуск массового производства ожидается в том же месяце. 30-нм технология Elpida будет реализована в RAM для мобильных устройств.

Другой производитель, южнокорейская компания Hynix, в настоящее время поставляет 40-нм запоминающие устройства DDR3 SDRAM. На выставке электроники Hynix показала 30-нм устройство DDR3, поставки которого начнутся в первой половине 2011 г.

Внезапное затишье на крупнейшем для запоминающих устройств рынке ПК замедляет производство DRAM и, как показывает опыт, приводит к падению цен на память. В этих условиях производители DRAM ищут новые рынки сбыта – мобильные устройства, планшетные ПК и смартбуки.

Преимущества 30-нм микросхем DRAM очевидны для ПК, серверов ЦОД и других систем. Эти устройства позволяют снизить энергопотребление на 14% и более по сравнению с микросхемами, изготовленными по 40-нм нормам. Рабочее напряжение новых DDR3-устройств SDRAM компании Samsung составляет 1,35 В, скорость обмена данными – 1,066-, 1,330-, 1,866- и 2,133 Мбит/с.

Компания Micron Technology Inc. перешла с 50- на 42-нм DRAM. В своем отчете, однако, Micron заявила о более слабых, чем ожидалось, продажах на конец августа, т.к. спрос на DRAM и NAND заметно снизился.

Агентство VLSI сообщило, что доходы от продаж DRAM снизились на 14% за последний квартал. Производители памяти пытаются выправить положение за счет средней продажной цены. Компания Samsung, похоже, испытывает те же трудности, о чем свидетельствуют предварительные результаты финансовой деятельности за III кв., которые оказались ниже ожиданий фондового рынка Wall Street.

Спот-цены на DRAM продолжают падать с тревожащей скоростью, по мере того как трейдеры опустошают склады. В начале этой недели были панические настроения, когда цены на некоторые небрендовые компоненты DRAM упали в течение дня на 7%. Рынок DRAM был более устойчив благодаря активности китайских покупателей, но в настоящее время он испытывает огромное давление, сообщается в докладе VLSI.

Падение цен на брендовые устройства DRAM было не столь внушительным, но внушает серьезные опасения, поскольку оно составило более 2%. Даже если спот-цены на DDR3 останутся на очень выгодных уровнях, их падение было слишком стремительным.

 

Источник: EETimes

Оцените материал:

Комментарии

0 / 0
0 / 0

Прокомментировать







 

Горячие темы

 
 




Rambler's Top100
Руководителям  |  Разработчикам  |  Производителям  |  Снабженцам
© 2007 - 2017 Издательский дом Электроника
Использование любых бесплатных материалов разрешено, при условии наличия ссылки на сайт «Время электроники».
Создание сайтаFractalla Design | Сделано на CMS DJEM ®
Контакты