Вход |  Регистрация
 
 
Время электроники Вторник, 23 октября
 
 


Это интересно!

Новости


Обзоры, аналитика


Интервью, презентации

Ранее

Тайваньские фирмы превратятся в ОЕМ-фабрики для китайских компаний

Непомерно высокие пошлины, которые могут быть наложены Департаментом торговли США на китайских производителей солнечных элементов, приведут к разным последствиям в разных странах.

Глава Foxconn считает, что состояние экономики в Европе и США ухудшится

Экономика в Еврозоне находится в плачевном состоянии из-за продолжающегося долгового кризиса. В этих условиях состояние бизнес-среды США в 2013 г. будет неудовлетворительным. Так считает Терри Гоу (Terry Gou), глава Foxconn.

Samsung, LG и Huawei увеличат мощности для производства LTE-решений

Компании Samsung Electronics, LG Electronics и Huawei Device намереваются увеличить долю LTE-решений собственной разработки, чтобы снизить свою зависимость от Qualcomm, производство которой не справляется с уровнем текущего спроса.

Реклама

По вопросам размещения рекламы обращайтесь в отдел рекламы

Реклама наших партнеров

 

31 мая 2012

Стартап-компания начинает производство нитрид-галлиевых пластин

Исследовательская группа, выделившаяся из научно-исследовательского института IMEC, начинает промышленное производство нитрид-галлиевых пластин диаметром 150 мм.

С

тартап EpiGaN NV, выделившийся из научно-исследовательского института IMEC в 2010 г., официально открыл производственные мощности для изготовления нитрид-галлиевых структур на кремниевых пластинах в научно-исследовательском кампусе в г.Хасселт, Бельгия.

Нитрид-галлиевые структуры по сравнению с кремниевыми структурами, как ожидается, позволят повысить эффективность электронных узлов, что, в первую очередь, найдёт применение при создании источников питания, драйверов моторов, инверторов для солнечных энергетических станций и экологического транспорта. Выращивание эпитаксиального слоя GaN на кремниевой подложке EpiGaN ставит своей целью добавить к существующим производственным масштабам по изготовлению кремниевых структур возможность изготовления высокопроизводительных структур на основе GaN.

Технология EpiGaN позволяет размещать эпитаксиальные слои GaN на кремниевых пластинах или на SiC-пластинах до 150 мм в диаметре. Технология для изготовления пластин диаметром 200 мм находится в стадии разработки.

Источник: EE Times

Читайте также:
Рынок силовой GaN-электроники ждут большие перемены
Силовые транзисторы на базе GaN: новая платформа для преобразователей напряжения
International Rectifier о GaN силовых приборах
Рынок реакторов MOCVD дла GaN LED достигнет дна в первой половине 2012 г.
Лампы Soraa, или новая глава в истории светодиодных технологий

Оцените материал:

Комментарии

0 / 0
0 / 0

Прокомментировать







 

 
 




Rambler's Top100
Руководителям  |  Разработчикам  |  Производителям  |  Снабженцам
© 2007 - 2018 Издательский дом Электроника
Использование любых бесплатных материалов разрешено, при условии наличия ссылки на сайт «Время электроники».
Создание сайтаFractalla Design | Сделано на CMS DJEM ®
Контакты