Вход |  Регистрация
 
 
Время электроники Понедельник, 15 октября
 
 


Это интересно!

Ранее

GSS предлагает Intel более совершенную технологию производства FinFET

Полностью обедненные FinFET-транзисторы на пластинах КнИ позволят снизить ток утечки вполовину по сравнению с FinFET на монолитном кремнии.

ARM и TSMC всё-таки опережают Intel в технологии производства СнК

Уоррена Иста (Warren East), исполнительного директора ARM, вовсе не пугает, что Intel технологически опережает те фаундри, которые сотрудничают с ARM.

Чем рискует Micron, приобретая Elpida

Недавнее приобретение компанией Micron обанкротившейся фирмы Elpida Memory — рискованный шаг, даже несмотря на то, что эта сделка позволит Micron более чем в два раза увеличить свои производственные мощности по выпуску DRAM-памяти.

Реклама

По вопросам размещения рекламы обращайтесь в отдел рекламы

Реклама наших партнеров

 

1 августа 2012

UMC может опередить TSMC в использовании FinFET-технологии

Постоянно занимающая вторую строчку в рейтинге производителей п/п пластин компания UMC благодаря лицензионному соглашению с IBM на использование FinFET-технологии имеет шанс обойти своего постоянного конкурента — TSMC.

Т

айваньская компания United Microelectronics Corp (UMC), которая на протяжении последних лет занимала вторую строчку в мировом рейтинге производителей п/п-пластин и в постоянной борьбе преследовала лидера рынка – компанию Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. (TSMC), может стать лидером в производстве п/п-пластин по FinFET-технологии. И это может произойти несмотря на то, что более десяти лет тому назад в состав создателей FinFET технологии входила компания TSMC.

Подписанное лицензионное соглашение с вычислительным гигантом – компанией IBM – может позволить UMC запустить производственный 20-нм FinFET-техпроцесс во второй половине 2014 года, то есть на год раньше, чем это сделает компания TSMC.

В соответствии с лицензией UMC будет изготавливать FinFET-пластины на объемном кремнии по сравнению с процессом «кремний-на-изоляторе», что позволит значительно сократить время на внедрение 20-нм КМОП процесса. Отчеты исследований показывают, что каналы транзисторов (в виде плавников) имеют правильное прямоугольное сечение, что позволяет получить заметное увеличение производительности (транзистора). При последующей модернизации технологии FinFET на объёмном кремнии можно в будущем добиться уменьшения токов утечки.

Ши-Вэй Сунь (Shih-Wei Sun), генеральный директор UMC, в ходе телефонной конференции, посвящённой обсуждению финансовых результатов UMC во втором квартале 2012 года, упомянул о том, что целевой задачей UMC на 2014 год является начало серийного производства изделий по 20-нм FinFET-технологии.

Ши-Вэй Сунь добавил, что фоновая обработка первых изделий UMC по FinFET-технологии будет проводиться с использованием того же техпроцесса, что и для 20-нм планарных КМОП изделий. Он сказал, что большинство компаний делают это, но при этом указывают, что применяют 16- или 14-нм техпроцессы. Ши-Вэй Сунь добавил, что подобное является лишь маркетинговым ходом. Объяснение, данное Ши-Вэй Сунь, согласуется с объяснением двухступенчатого 20-нм техпроцесса, данного недавно Эриком Морисом (Eric Meurice), генеральным директором компании ASML,  производителем литографического оборудования.

В соответствии с последней информацией, полученной из TSMC, компания планирует во второй половине 2015 года начать промышленное производство изделий по 16-нм технологии FinFET. Если TSMC также сможет использовать 20-нм фоновый техпроцесс для изготовления FinFET изделий, то начало производства новых изделий может быть передвинуто на более ранние сроки.

Источник: EE Times

Читайте также:
UMC приобретает лицензию у IBM на технологию 20-нм FinFET
22-нм технология FinFET от Intel: официальные и неофициальные подробности
ARM и TSMC всё-таки опережают Intel в технологии производства СнК
GSS предлагает Intel более совершенную технологию производства FinFET
Производство 28-нм кристаллов на UMC началось раньше запланированного срока
Топ-20 полупроводниковых компаний по итогам I кв. 2012 г.

Оцените материал:

Комментарии

0 / 0
0 / 0

Прокомментировать







 

 
 




Rambler's Top100
Руководителям  |  Разработчикам  |  Производителям  |  Снабженцам
© 2007 - 2018 Издательский дом Электроника
Использование любых бесплатных материалов разрешено, при условии наличия ссылки на сайт «Время электроники».
Создание сайтаFractalla Design | Сделано на CMS DJEM ®
Контакты