Вход |  Регистрация
 
 
Время электроники Понедельник, 5 декабря
 
 


Это интересно!

Новости


Обзоры, аналитика


Интервью, презентации

Ранее

Искусственный атом из графена поможет в создании чипов для квантовых компьютеров

Международная группа ученых из Австрии, Германии и Великобритании создала искусственный атом из графена. Результаты работы исследователи представили в статье, опубликованной в журнале Nano Letters.

Литиевые аккумуляторы удвоенной удельной емкости появятся уже в 2017 г.

Компания SolidEnergy, созданная выпускниками Массачусетского технологического института, в 2017 г. планирует приступить к производству аккумуляторов для смартфонов и другой мобильной электроники, которые будут обладать вдвое большей емкостью по сравнению с сегодняшними элементами питания.

В Шотландии создан экситонный лазер на бактериях

Физики из Великобритании и Германии разработали лазер, который работает с использованием зеленого флуоресцентного белка, полученного из модифицированной кишечной палочки (Escherichia coli). Исследование опубликовано в журнале Science Advances.

Реклама

По вопросам размещения рекламы обращайтесь в отдел рекламы

Реклама наших партнеров

 

9 сентября 2016

Fujitsu собирается встраивать в БИС память на углеродных нанотрубках

Соглашение предусматривает совместную разработку энергонезависимой памяти NRAM на углеродных нанотрубках, которая превосходит флэш-память по скорости записи в тысячу раз, и по ресурсу — во много тысяч раз.

Я

понские компании Fujitsu Semiconductor и Mie Fujitsu Semiconductor объявили о заключении соглашения с американской компанией Nantero, в течение многих лет разрабатывающей память типа NRAM. Эта энергонезависимая память с возможностью перезаписи объединяет в себе достоинства динамической памяти с произвольным доступом и флэш-памяти, поэтому ее считают одним из наиболее вероятных претендентов на роль универсальной памяти.

Соглашение предусматривает совместную разработку энергонезависимой памяти NRAM на углеродных нанотрубках, которая превосходит флэш-память по скорости записи в тысячу раз, и по ресурсу — во много тысяч раз. Компания Fujitsu Semiconductor планирует к концу 2018 года создать большие интегральные схемы (БИС) со встроенной памятью NRAM, после чего придет очередь микросхем NRAM как самостоятельных изделий. Компания Mie Fujitsu Semiconductor, занимающаяся контрактным производством полупроводниковой продукции, намерена предложить выпуск изделий с памятью NRAM своим заказчикам. Разрабатываемая партнерами память NRAM будет рассчитана на выпуск по нормам 55 нм.

Источник: Fujitsu

Комментарии

0 / 0
0 / 0

Прокомментировать







 
 
 




Rambler's Top100
Руководителям  |  Разработчикам  |  Производителям  |  Снабженцам
© 2007 - 2016 Издательский дом Электроника
Использование любых бесплатных материалов разрешено, при условии наличия ссылки на сайт «Время электроники».
Создание сайтаFractalla Design | Сделано на CMS DJEM ®
Контакты