Вход |  Регистрация
 
 
Время электроники Воскресенье, 20 января
 
 


Это интересно!

Новости


Обзоры, аналитика


Интервью, презентации

Ранее

Seagate создала первые жесткие диски с подогревом магнитных доменов объемом 16 ТБ

Компания Seagate сообщила о достижении важной вехи на пути к серийным поставкам жестких дисков, в которых используется технология подогрева носителя (Heat-Assisted Magnetic Recording, HAMR) .

Датчие Philips Lumify превращает обычный гаджет в медприбор для УЗИ

Philips Lumify подходит для УЗИ сердечно-сосудистой системы, опорно-двигательного аппарата и не только.

Однослойная наноструктура способна исправить хроматические аберрации во всех видах объективов

Обеспечивая одинаковый угол преломления волн разной длины, она позволяет корректировать хроматические аберрации в видимом спектре и может быть включена в коммерческие оптические системы — от самых простых до очень сложных.

Реклама

По вопросам размещения рекламы обращайтесь в отдел рекламы

Реклама наших партнеров

 

11 декабря 2018

Японцы смогли повысить надежность мощных полупроводниковых приборов на основе карбида кремния

Результаты исследования были опубликованы на международной конференции IEDM2018.

К

омпания Mitsubishi Electric рассказала о разработке, выполненной совместно с Токийским университетом. Партнеры представили «абсолютно новый механизм повышения надежности силовых полупроводниковых приборов на основе карбида кремния (SiC)».

Механизм построен на подтверждении предположения, что сера, внедренная под границу между оксидным изолятором затвора и каналом SiC, захватывает часть электронов из протекающего через прибор тока, увеличивая пороговое напряжение. При этом сопротивление в открытом состоянии не уменьшается. Ранее считалось, что сера не является подходящим элементом для использования в силовых полупроводниковых приборах SiC. Ожидается, что разработка приведет к созданию более надежных элементов силовой электроники, обладающих высокой устойчивостью к электромагнитным помехам, которые, как известно, вызывают сбои в работе систем.

Результаты исследования были опубликованы на международной конференции IEDM2018, которая прошла в Сан-Франциско. В планах Mitsubishi Electric — продолжить совершенствовать конструкцию и технические характеристики полевого транзистора на основе оксида металла и карбида кремния (SiC MOSFET).

Источник: Mitsubishi Electric

Комментарии

0 / 0
0 / 0

Прокомментировать







 

 
 




Rambler's Top100
Руководителям  |  Разработчикам  |  Производителям  |  Снабженцам
© 2007 - 2019 Издательский дом Электроника
Использование любых бесплатных материалов разрешено, при условии наличия ссылки на сайт «Время электроники».
Создание сайтаFractalla Design | Сделано на CMS DJEM ®
Контакты