 |
|
||||||||||||
|
||||||||||||
 Это интересно!Новости Доказано, что электроны туннелируют сквозь барьер мгновенно, а не за конечное время
РанееSeagate создала первые жесткие диски с подогревом магнитных доменов объемом 16 ТБКомпания Seagate сообщила о достижении важной вехи на пути к серийным поставкам жестких дисков, в которых используется технология подогрева носителя (Heat-Assisted Magnetic Recording, HAMR) . Датчие Philips Lumify превращает обычный гаджет в медприбор для УЗИPhilips Lumify подходит для УЗИ сердечно-сосудистой системы, опорно-двигательного аппарата и не только. Однослойная наноструктура способна исправить хроматические аберрации во всех видах объективовОбеспечивая одинаковый угол преломления волн разной длины, она позволяет корректировать хроматические аберрации в видимом спектре и может быть включена в коммерческие оптические системы — от самых простых до очень сложных. СсылкиРекламаПо вопросам размещения рекламы обращайтесь в Реклама наших партнеров |
11 декабря 2018 Японцы смогли повысить надежность мощных полупроводниковых приборов на основе карбида кремнияРезультаты исследования были опубликованы на международной конференции IEDM2018.К
омпания Mitsubishi Electric рассказала о разработке, выполненной совместно с Токийским университетом. Партнеры представили «абсолютно новый механизм повышения надежности силовых полупроводниковых приборов на основе карбида кремния (SiC)». Механизм построен на подтверждении предположения, что сера, внедренная под границу между оксидным изолятором затвора и каналом SiC, захватывает часть электронов из протекающего через прибор тока, увеличивая пороговое напряжение. При этом сопротивление в открытом состоянии не уменьшается. Ранее считалось, что сера не является подходящим элементом для использования в силовых полупроводниковых приборах SiC. Ожидается, что разработка приведет к созданию более надежных элементов силовой электроники, обладающих высокой устойчивостью к электромагнитным помехам, которые, как известно, вызывают сбои в работе систем. Результаты исследования были опубликованы на международной конференции IEDM2018, которая прошла в Сан-Франциско. В планах Mitsubishi Electric — продолжить совершенствовать конструкцию и технические характеристики полевого транзистора на основе оксида металла и карбида кремния (SiC MOSFET). Источник: Mitsubishi Electric Комментарии0 / 0
0 / 0
|
  Комментарии читателей«Тесла Групп» возрождает бренды Rover Computers [1] Гигантский космический рекламный дисплей от сколковского стартапа угрожает мировой науке [1] Российская робототехническая отрасль в 500 раз меньше мировой, но не унывает [1] Mail.ru готовит «убийцу "Алисы"» в «лице» голосового помощника «Маруси» с умной колонкой [1] Горячие темы |
||||||||||
|
|
||||||||||||
|
|
|||||||||||
| |
|
|||||||||||
