Вход |  Регистрация
 
 
Время электроники Понедельник, 20 мая
 
 


Это интересно!

Новости

США официально признали Huawei угрозой нацбезопасности


Обзоры, аналитика


Интервью, презентации

Ранее

Новейшие сгибающиеся смартфоны Samsung начали массово ломаться у независимых пре-тестеров

Журналисты и блогеры, которые тестировали складной смартфон Samsung Galaxy Fold, пожаловались в соцсетях, что он начал ломаться с первых же дней использования.

Электростимуляция пожилого мозга способна омолодить память, подобно работе ячеек SDRAM

Ученые Северо-Западного университета США выяснили, что электрическая стимуляция центров памяти в мозге пожилых людей улучшает когнитивные способности до уровня, характерного для молодости.

Коров Британского королевства припахали тестировать 5G

Компания Cisco Systems, разрабатывающая инфраструктуру для сетей 5G, установила испытательные стенды 5G в трех сельских районах Соединенного Королевства.

Реклама

По вопросам размещения рекламы обращайтесь в отдел рекламы

Реклама наших партнеров

 

19 апреля 2019

На Тайване кардинально улучшили память MRAM и готовятся начать ее массовое производство уже в этом году.

Магниторезистивная память с произвольным доступом (MRAM) считается наиболее подходящим кандидатом на роль универсальной памяти следующего поколения. Однако до недавнего времени эффективное управление MRAM было сложной задачей.

Е

сли верить сообщению тайваньского национального университета Цин Хуа (NTHU), междисциплинарной исследовательской группе во главе с профессором Чих-Хуан Лаем и профессором Сюу-Хау Лин удалось совершить «революционный прорыв».

В настоящее время в качестве оперативной памяти с произвольным доступом в цифровых устройствах в основном используется динамическая память (DRAM), но ее потенциал по части снижения энергопотребления и повышения плотности близится к исчерпанию.

Работа DRAM построена на свойстве электрона — электрическом заряде. Однако у электрона есть и другое свойство — спин. Ученые предположили, что с помощью спинов можно управлять ячейками MRAM. Добавив в ячейку слой платины толщиной всего несколько нанометров, исследователям удалось реализовать новый механизм переключения магнитных моментов, который ранее не использовался. Он построен на использовании спинового тока. Из-за спин-орбитальных взаимодействий электрический ток вначале управляет коллективным движением электронных спинов. Затем спиновый ток эффективно и точно переключает магнитный момент ячейки.

К достоинствам MRAM относится высокое быстродействие и маленькие размеры ячейки, а также возможность произвольного доступа и сохранение состояния в отсутствие питания.

Разработки в области MRAM ведут такие крупные компании, как Samsung, Intel и TSMC. Вполне возможно, что массовое производство MRAM высокой плотности начнется уже в этом году. 

Комментарии

0 / 0
0 / 0

Прокомментировать







 

Горячие темы

 
 




Rambler's Top100
Руководителям  |  Разработчикам  |  Производителям  |  Снабженцам
© 2007 - 2019 Издательский дом Электроника
Использование любых бесплатных материалов разрешено, при условии наличия ссылки на сайт «Время электроники».
Создание сайтаFractalla Design | Сделано на CMS DJEM ®
Контакты