Вход |  Регистрация
 
 
Время электроники Суббота, 24 августа
 
 


Это интересно!

Новости


Обзоры, аналитика


Интервью, презентации

Ранее

Карманный персональный кардиограф Xiaomi оценила в 58 долларов

На платформе коллективного финансирования Xiaomi партнерская компания HiPee запустила новый медицинский продукт под названием HiPee Smart ECG Wizard.

Xiaomi представила дверной замок с распознаванием лиц и искусственным интеллектом

На платформе коллективного финансирования Xiaomi появился новый продукт — умный дверной замок R5, в основе работы которого лежит система распознавания лиц.

Tesla представила мегабатарею Megapack на 1,5 МВт для огромных хранилищ энергии

Ёмкость достигает 3 МВт·ч.

Реклама

По вопросам размещения рекламы обращайтесь в отдел рекламы

Реклама наших партнеров

 

9 августа 2019

Samsung и Toshiba синхронно выпустили революционные технологии флеш-памяти

Несмотря на продолжающийся спад на рынке SSD из-за избыточных запасов памяти у производителей ПК и других устройств, Samsung и Toshiba Memory продолжают работу по совершенствованию собственных технологий флеш-памяти.

А

зиатские технологические гиганты Samsung и Toshiba Memory почти одновременно представили собственные разработки в области флеш-памяти, которые, в первую очередь, планируется применять в производстве SSD для центров обработки данных (ЦОД).

Samsung в своих новых модулях V-NAND удалось добиться увеличения числа ячеек памяти примерно на 40% за счет добавления новых слоев, а также существенно повысить энергоэффективность и производительность устройств.

Toshiba Memory же, похоже, намерена составить конкуренцию Samsung и Intel с их 3D XPoint (используется в накопителях Optane) и Z-NAND. В этом компании должна помочь XL-Flash – флеш-память с низкими задержками и одноуровневой организацией хранения бита в ячейке.

По прогнозам аналитиков Trendforce, к концу 2019 г. SSD емкостью 512 ГБ и 1 ТБ будут продаваться по цене ниже $0,1 за гигабайт, то есть по самой низкой цене в истории рынка. Trendforce объясняет сложившуюся ситуацию избыточными поставками на рынке памяти NAND, что заставляет производителей вести ценовую войну, предлагая товар дешевле, чем конкуренты.

Как ранее сообщал CNews, операционная прибыль Samsung по итогам II квартала 2019 г. упала на 56% в связи со спадом на рынке памяти.

Первая 100-слойная V-NAND

Samsung начала массовое производство модулей трехмерной флеш-памяти V-NAND шестого поколения с рекордным числом слоев – до 136, и плотностью 256 Гбит. Это стало возможно благодаря применению технологии сквозного травления кристаллов (channel hole etching).

Cкорость передачи данных, обеспечиваемая новинкой, на 10% выше по сравнению с продуктами предыдущего поколения, а энергопотребление снизилось на 15%. Благодаря модификации управляющей схемы чип демонстрирует задержку в операциях чтения менее 45 микросекунд, а в операциях записи – до 450 микросекунд.

На основе новой 100-слойной V-NAND Samsung уже начала производство твердотельных накопителей (SSD – Solid State Drive) с интерфейсом SATA емкостью 256 ГБ. Во второй половине 2019 г. планируется вывод в серию SSD вместительностью 512 ГБ и модулей eUFS на базе 300-слойной V-NAND шестого поколения, которая, по сути, представляет собой три объединенных 100-слойных кристалла.

Samsung рассчитывает, что новые устройства найдут применение не только в качестве накопителей для систем хранения данных и смартфонов, но и окажутся востребованными в автомобильной промышленности.

Универсальное решение Toshiba Memory

Японская Toshiba Memory также анонсировала начало производства новой памяти для систем хранения (SCM – Storage Class Memory) под брендом XL-Flash. В ее основе лежит фирменная флеш-память компании – BiCS Flash 3D (3D NAND), отличающаяся одноуровневой организацией хранения бита в ячейке (SLC – Single Level Cell).

Toshiba Memory позиционирует XL-Flash как золотую середину между флеш-памятью 3D NAND и энергозависимой DRAM, которая, как правило, используется в качестве оперативного запоминающего устройства в ПК. Как утверждают в компании, новинка превосходит обычную 3D NAND по производительности, но уступает DRAM. Цена XL-Flash также будет компромиссной.

Новинка отличается низким показателем задержки при чтении данных – он не превышает 5 микросекунд, то есть XL-Flash примерно на порядок отзывчивее собственной TLC NAND Toshiba Memory. Для оптимизации операций чтения и записи размер страницы сделан равным 4 КБ

XL-Flash базируется на кристаллах емкостью 128 Гбит (16 ГБ), а микросхема может включать два, четыре или восемь таких кристаллов. Количество плоскостей будет увеличено до шестнадцати, что обеспечит более эффективное распараллеливание.

Toshiba Memory планирует применять новую память в производстве твердотельных накопителей, но не исключает и появление устройств, подключаемых к шине DRAM, на ее основе.

Пробные поставки XL-Flash начнутся в сентябре 2019 г., а старт массового производства запланирован на 2020 г.

http://cnews.ru/link/n496601

Комментарии

0 / 0
0 / 0

Прокомментировать







 

Горячие темы

 
 




Rambler's Top100
Руководителям  |  Разработчикам  |  Производителям  |  Снабженцам
© 2007 - 2019 Издательский дом Электроника
Использование любых бесплатных материалов разрешено, при условии наличия ссылки на сайт «Время электроники».
Создание сайтаFractalla Design | Сделано на CMS DJEM ®
Контакты