Вход |  Регистрация
 
 
Время электроники Воскресенье, 16 декабря
 
 

 

Технологии

40 / 1237

1 |2 |3 |4 |5 |6 |7 |8 |9 |10 |11 |12 |13 |14 |15 |16 |17 |18 |19 |20 |21 |22 |23 |24 |25 |26 |27 |28 |29 |30 |31

23 июля 2018 | Технологии

Toshiba Memory представила микросхему 96-слойной флэш-памяти QLC NAND ёмкостью 2,66 Тбайт

Серийный выпуск должен начаться в 2019 году.
  • 0
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5


31 мая 2018 | Технологии

Imec и стартап Unisantis продемонстрировали самую плотную в индустрии 6-транзисторную ячейку SRAM

Стартап Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd, возглавляемый ветераном отрасли и одним из изобретателей NAND в составе команды Toshiba — Фудзио Масуока (Fujio Masuoka), на форуме Imec Technology Forum (ITF 2018) продемонстрировал самую плотную в индустрию 6-транзисторную ячейку SRAM.
  • 0
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5


19 апреля 2018 | Технологии

Для защиты «чипокалипсиса» Rambus создает встраиваемый «процессор безопасности» на архитектуре RISC-V

Фактически это реализация старой доброй платформы TPM, только в виде встраиваемого IP-блока.
  • 0
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5


10 апреля 2018 | Технологии

Intel хочет повторить у себя ARM-технологию объединения в одном CPU разных процессорных ядер

Технология ARM big.LITTLE, позволяющая создавать однокристальные системы с разными процессорными ядрами одного класса, появилась в далёком 2011 году и используется в огромном количестве решений.
  • 0
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5


29 марта 2018 | Технологии

Renesas Electronics представила первый в мире 28-нм микроконтроллер со встроенной флэш-памятью

Компания Renesas Electronics объявила о доступности образцов первого в отрасли микроконтроллера со встроенной флэш-памятью, изготавливаемого с применением технологических норм 28 нм.
  • 0
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5


6 марта 2018 | Технологии

Imec и Cadence подготовили к передаче в производство первую 3-нм тестовую микросхему

Научно-исследовательский центр imec и компания Cadence Design Systems объявили о том, что результатом их продолжительного сотрудничества стала подготовка к передаче в производство первой в отрасли тестовой микросхемы, рассчитанной на изготовление по нормам 3 нм.
  • 0
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5


30 января 2018 | Технологии

Toshiba разработала новый SOI-техпроцесс для малошумящих РЧ-усилителей

Компания Toshiba сообщила о разработке технологического процесса полупроводникового производства TaRF10. Это очередное поколение фирменного техпроцесса TarfSOI (Toshiba advanced RF SOI), оптимизированного для изготовления малошумящих радиочастотных усилителей, используемых в смартфонах.
  • 0
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5


23 января 2018 | Технологии

Everspin освоила коммерческий выпуск 40-нм магниторезистивной памяти STT-MRAM

Компания Everspin Technologies, специализирующаяся на выпуске микросхем магниторезистивной памяти ST-MRAM (Spin-Torque Magnetoresistive RAM), сообщила, что в минувшем квартале она получила первый доход, связанный с серийным выпуском 40-нанометровой памяти ST-MRAM.
  • 0
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5


17 января 2018 | Технологии

В надежде вернуть заказы Apple компания Samsung разработает новый вариант упаковки чипов

По данным источника, компании Samsung Electronics разрабатывает новый вариант передового технологического процесса упаковки кристаллов в корпуса, рассчитывая вернуть заказы на однокристальные системы для мобильных устройств Apple. В 2016 году их перехватила компания TSMC.
  • 0
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5


7 декабря 2017 | Технологии

GlobalFoundries планирует выпускать интегрированные в микросхемы оптические интерфейсы

Три года назад компания Intel активно шла к коммерческой эксплуатации оптических интерфейсов на уровне межпроцессорного обмена. Но похоже к нее появился в этом конкурент.
  • 0
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5


27 октября 2017 | Технологии

Опубликована спецификация PCI Express 4.0

Как и ожидалось, организация PCI-SIG, занимающаяся развитием и стандартизацией шины PCI Express (PCIe), опубликовала спецификацию PCI Express 4.0 версии 1.0.
  • 0
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5


18 октября 2017 | Технологии

3D NAND имеет меньше перспектив, чем многие считают

Основатель и генеральный директор компании BeSang, Ли Сан-юн (Sang-Yun Lee), в блоге на сайте EE Times опубликовал любопытные данные о производстве памяти 3D NAND.
  • 0
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5


4 сентября 2017 | Технологии

АНБ «помогла» россиянам закрыть бэкдор в процессорах Intel

Российские исследователи придумали, как отключить потенциально уязвимый механизм управления центральным процессором Intel ME. При разработке метода в файлах конфигурации были найдены следы выполнения программы АНБ по созданию доверительных платформ.
  • 0
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5


1 сентября 2017 | Технологии

Статистика выявила самые плохие и самые надёжные жесткие диски

HDD объёмом 8 ТБ являются одними из самых надёжных, а 4-ТБ модели Seagate имеют катастрофически низкую надёжность.
  • 85
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5


7 августа 2017 | Технологии

Panasonic выпускает самую тонкую SMD-кнопку в мире

Компания Panasonic сообщила о выпуске кнопки, срабатывающей от легкого прикосновения, которая является самым тонким переключателем такого рода. Ее размеры равны 2,6 х 1,6 х 0,5 мм.
  • 0
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5


3 августа 2017 | Технологии

Nanya хочет сама разработать 10-нанометровую технологию производства DRAM

Компания Nanya Technology договорилась лицензировать у Micron Technology технологии производства DRAM 10-нанометрового класса (1X и 1Y). Используя их в качестве отправной точки, тайваньский производитель рассчитывает самостоятельно разработать 10-нанометровую технологию производства DRAM.
  • 0
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5


18 июля 2017 | Технологии

Компания ASML представила источник излучения мощностью 250 Вт для литографии в жестком ультрафиолетовом диапазоне

Отрасль наконец-то вплотную приблизилась к внедрению в серийном производстве литографии в жестком ультрафиолетовом диапазоне (EUV), перспективной при переходе к более тонким нормам техпроцесса.
  • 0
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5


29 июня 2017 | Технологии

Sony разработала основу для микросхем памяти ReRAM плотностью около 100 Гбит

Компания Sony Semiconductor Solutions рассказала о разработках, относящихся к памяти ReRAM, объединяющей достоинства DRAM и NAND.
  • 0
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5


27 июня 2017 | Технологии

LG Innotek планирует выпускать гибкие печатные платы для гаджетов

Одним из возможных заказчиков этой продукции названа компания Apple.
  • 0
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5


8 июня 2017 | Технологии

Опубликована спецификация PCI Express 4.0 Revision 0.9

В ходе мероприятия PCI-SIG Developers Conference 2017 организация PCI-SIG, занимающаяся развитием и стандартизацией шины PCI Express (PCIe), объявила о выходе спецификации PCI Express 4.0 Revision 0.9.
  • 0
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5


17 мая 2017 | Технологии

Volvo и Audi будут использовать в своих будущих автомобилях полноценную ОС Android

Как известно, функция Android Auto подразумевает необходимость подключения смартфона к поддерживающей эту функцию информационно-развлекательной системе авто. Причём пока подключение возможно лишь по кабелю.
  • 0
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5


17 мая 2017 | Технологии

Конкурент Samsung первым запустил технологию упаковки чипов, которая сделает гаджеты компактнее и дешевле

Южнокорейский Nepes запустил технологию упаковки чипов FoPLP, которая делает смартфонные чипы компактнее и дешевле, снижая стоимость гаджетов. Ранее о готовности к запуску этой технологии объявили в Samsung, однако конкуренты мобильного гиганта оказались расторопнее.
  • 0
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5


28 февраля 2017 | Технологии

UMC начинает серийный выпуск микросхем по 14-нанометровой технологии FinFET

В ноябре 2012 года компания UMC взялась за разработку 14-нанометрового техпроцесса, построенного на использовании транзисторов FinFET. Теперь этот производитель сообщил о начале серийного выпуска микросхем по 14-нанометровой технологии FinFET собственной разработки. ъ
  • 0
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5


7 февраля 2017 | Технологии

Western Digital выпускает первые в мире 64-слойные чипы 3D NAND плотностью 512 Гбит

По словам производителя, эти кристаллы с ячейками, способными хранить по три бита, являются первыми в своем роде. Их массовый выпуск компания рассчитывает начать во втором полугодии.
  • 0
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5


23 декабря 2016 | Технологии

Выпуск чипов с нормами 10-нм идёт не так гладко, как ожидалось

Уровень брака при производстве 10-нм решений, если верить осведомлённым источникам, слишком высок, чтобы TSMC и Samsung могли следовать ранее утверждённому графику.
  • 0
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5


23 декабря 2016 | Технологии

SK Hynix собирается начать выпуск 72-слойной 3D NAND во второй половине 2017 года

Сегодня компания SK Hynix по технологичности производства многослойной памяти 3D NAND отстаёт от своих конкурентов — компаний Samsung, Toshiba и Micron.
  • 0
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5


21 декабря 2016 | Технологии

SK Hynix и Toshiba рассказали о самой плотной в индустрии STT-MRAM

Энергонезависимая память на основе магнитных эффектов иди MRAM (магниторезистивная память) имеет ряд преимуществ перед широко используемой флэш-памятью NAND-типа — это лучшее быстродействие и меньшее потребление во время записи, однако главным препятствием для широкого распространения MRAM остаётся низкая плотность записи.
  • 0
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5


16 декабря 2016 | Технологии

SK Hynix приступила к опытному производству памяти класса 10 нм

К массовому производству DRAM с нормами класса 10 нм SK Hynix приступит во втором квартале 2017 года.
  • 0
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5


12 декабря 2016 | Технологии

Western Digital до 2020 года выпустит диски с новыми технологиями записи

Помимо уже применяющейся у конкурентов черепичной записи появятся накопители с т.н. двухмерной магнитной записью, а также HAMR-диски, где запись происходит на локально разогретые лазером участки магнитной пластины.
  • 0
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5


13 октября 2016 | Технологии

Samsung может опаздывать с внедрением в производство 7-нм техпроцесса

Возможные проблемы Samsung играют на руку компании TSMC.
  • 0
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5


7 октября 2016 | Технологии

Intel создала монструозный процессорный разъём для 70-ядерных ЦП

Новое поколение процессоров Intel Xeon Phi — 14-нм Knight Landing — получило возможность установки в процессорный разъём на материнской плате. Для решения с 70-ю ядрами компания разработала процессорный разъём LGA 3647.
  • 0
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5


27 сентября 2016 | Технологии

Технология AMOLED обойдет технологию а-Si в небольших дисплеях уже в этом году

Продажи дисплеев малого и среднего размера (до 9 дюймов) с активной матрицей, включая жидкокристаллические, органические и электрофоретические, в этом году достигнут 43,4 млрд долларов. При этом наиболее распространенной будет технология низкотемпературного поликристаллического кремния (LTPS).
  • 0
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5


23 августа 2016 | Технологии

Внутри процессоров Samsung обнаружилась крохотная нейросеть

Samsung раскрыла некоторые детали о строении ядер собственной разработки Mongoose, которые используются в процессорах флагманов Samsung Galaxy S7 и S7 edge. В ядрах Mongoose применяется нейронная сеть для предсказания команд процессора.
  • 0
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5


23 августа 2016 | Технологии

ARM разработала масштабируемые векторные инструкции для суперкомпьютерных процессоров

Новая разработка — в виде векторных инструкций с изменяемой разрядностью (scalable vector extensions, SVE) — даёт возможность вывести процессоры с поддержкой инструкций ARM в сегмент суперкомпьютеров.
  • 0
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5


22 августа 2016 | Технологии

Samsung предлагает Z-NAND в ответ на память 3D XPoint от Intel/Micron

При этом компания Samsung будет использовать отлаженное производство, чего ещё долго не будет у Intel и Micron.
  • 0
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5


18 августа 2016 | Технологии

Первые на рынке 3D-чипы памяти на транзисторах с плавающим затвором имеют рекордную плотность и производительность

Micron выпустил чипы памяти для смартфонов с наиболее высокой плотностью и производительностью на рынке, как утверждает сам производитель.
  • 0
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5


16 августа 2016 | Технологии

Вклад Seagate в «закон Яровой»: 60 ТБ SSD будет состоять из «небоскрёбов» 3D NAND

Японцы раздобыли секреты компоновки модели SSD Seagate объёмом 60 Тбайт.
  • 0
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5


16 августа 2016 | Технологии

Western Digital разрабатывает накопитель на памяти ReRAM

Память ReRAM будет дороже памяти 3D NAND равной ёмкости (в терминах Toshiba — BiCS), но дешевле производства DRAM равного объёма.
  • 0
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5


12 августа 2016 | Технологии

Samsung Electronics представила 64-слойную флэш-память V-NAND и SSD рекордного объема для "закона Яровой"

Компания Samsung Electronics представила на мероприятии Flash Memory Summit 2016 новейшие решения на базе флэш-памяти. В частности, показаны микросхемы флэш-памяти с объемной компоновкой V-NAND четвертого поколения и накопители большого объема.
  • 0
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5


21 июля 2016 | Технологии

Высокие риски внедрения 10-нм техпроцесса вынуждают Intel "плодить сущности" на 14-нм техпроцессе

Японские источники засветили планы Intel по выпуску энергоэфективных процессоров на два года вперед.
  • 0
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5


40 / 1237

1 |2 |3 |4 |5 |6 |7 |8 |9 |10 |11 |12 |13 |14 |15 |16 |17 |18 |19 |20 |21 |22 |23 |24 |25 |26 |27 |28 |29 |30 |31
 

 
 




Rambler's Top100
Руководителям  |  Разработчикам  |  Производителям  |  Снабженцам
© 2007 - 2018 Издательский дом Электроника
Использование любых бесплатных материалов разрешено, при условии наличия ссылки на сайт «Время электроники».
Создание сайтаFractalla Design | Сделано на CMS DJEM ®
Контакты