Вход |  Регистрация
 
 
Время электроники Воскресенье, 24 сентября
 
 


Это интересно!

Новости


Обзоры, аналитика


Интервью, презентации

Реклама

По вопросам размещения рекламы обращайтесь в отдел рекламы

Реклама наших партнеров

 

Технологии

40 / 1225

1 |2 |3 |4 |5 |6 |7 |8 |9 |10 |11 |12 |13 |14 |15 |16 |17 |18 |19 |20 |21 |22 |23 |24 |25 |26 |27 |28 |29 |30 |31

4 сентября 2017 | Технологии

АНБ «помогла» россиянам закрыть бэкдор в процессорах Intel

Российские исследователи придумали, как отключить потенциально уязвимый механизм управления центральным процессором Intel ME. При разработке метода в файлах конфигурации были найдены следы выполнения программы АНБ по созданию доверительных платформ.
  • 0
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5


1 сентября 2017 | Технологии

Статистика выявила самые плохие и самые надёжные жесткие диски

HDD объёмом 8 ТБ являются одними из самых надёжных, а 4-ТБ модели Seagate имеют катастрофически низкую надёжность.
  • 85
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5


7 августа 2017 | Технологии

Panasonic выпускает самую тонкую SMD-кнопку в мире

Компания Panasonic сообщила о выпуске кнопки, срабатывающей от легкого прикосновения, которая является самым тонким переключателем такого рода. Ее размеры равны 2,6 х 1,6 х 0,5 мм.
  • 0
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5


3 августа 2017 | Технологии

Nanya хочет сама разработать 10-нанометровую технологию производства DRAM

Компания Nanya Technology договорилась лицензировать у Micron Technology технологии производства DRAM 10-нанометрового класса (1X и 1Y). Используя их в качестве отправной точки, тайваньский производитель рассчитывает самостоятельно разработать 10-нанометровую технологию производства DRAM.
  • 0
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5


18 июля 2017 | Технологии

Компания ASML представила источник излучения мощностью 250 Вт для литографии в жестком ультрафиолетовом диапазоне

Отрасль наконец-то вплотную приблизилась к внедрению в серийном производстве литографии в жестком ультрафиолетовом диапазоне (EUV), перспективной при переходе к более тонким нормам техпроцесса.
  • 0
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5


29 июня 2017 | Технологии

Sony разработала основу для микросхем памяти ReRAM плотностью около 100 Гбит

Компания Sony Semiconductor Solutions рассказала о разработках, относящихся к памяти ReRAM, объединяющей достоинства DRAM и NAND.
  • 0
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5


27 июня 2017 | Технологии

LG Innotek планирует выпускать гибкие печатные платы для гаджетов

Одним из возможных заказчиков этой продукции названа компания Apple.
  • 0
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5


8 июня 2017 | Технологии

Опубликована спецификация PCI Express 4.0 Revision 0.9

В ходе мероприятия PCI-SIG Developers Conference 2017 организация PCI-SIG, занимающаяся развитием и стандартизацией шины PCI Express (PCIe), объявила о выходе спецификации PCI Express 4.0 Revision 0.9.
  • 0
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5


17 мая 2017 | Технологии

Volvo и Audi будут использовать в своих будущих автомобилях полноценную ОС Android

Как известно, функция Android Auto подразумевает необходимость подключения смартфона к поддерживающей эту функцию информационно-развлекательной системе авто. Причём пока подключение возможно лишь по кабелю.
  • 0
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5


17 мая 2017 | Технологии

Конкурент Samsung первым запустил технологию упаковки чипов, которая сделает гаджеты компактнее и дешевле

Южнокорейский Nepes запустил технологию упаковки чипов FoPLP, которая делает смартфонные чипы компактнее и дешевле, снижая стоимость гаджетов. Ранее о готовности к запуску этой технологии объявили в Samsung, однако конкуренты мобильного гиганта оказались расторопнее.
  • 0
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5


28 февраля 2017 | Технологии

UMC начинает серийный выпуск микросхем по 14-нанометровой технологии FinFET

В ноябре 2012 года компания UMC взялась за разработку 14-нанометрового техпроцесса, построенного на использовании транзисторов FinFET. Теперь этот производитель сообщил о начале серийного выпуска микросхем по 14-нанометровой технологии FinFET собственной разработки. ъ
  • 0
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5


7 февраля 2017 | Технологии

Western Digital выпускает первые в мире 64-слойные чипы 3D NAND плотностью 512 Гбит

По словам производителя, эти кристаллы с ячейками, способными хранить по три бита, являются первыми в своем роде. Их массовый выпуск компания рассчитывает начать во втором полугодии.
  • 0
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5


23 декабря 2016 | Технологии

Выпуск чипов с нормами 10-нм идёт не так гладко, как ожидалось

Уровень брака при производстве 10-нм решений, если верить осведомлённым источникам, слишком высок, чтобы TSMC и Samsung могли следовать ранее утверждённому графику.
  • 0
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5


23 декабря 2016 | Технологии

SK Hynix собирается начать выпуск 72-слойной 3D NAND во второй половине 2017 года

Сегодня компания SK Hynix по технологичности производства многослойной памяти 3D NAND отстаёт от своих конкурентов — компаний Samsung, Toshiba и Micron.
  • 0
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5


21 декабря 2016 | Технологии

SK Hynix и Toshiba рассказали о самой плотной в индустрии STT-MRAM

Энергонезависимая память на основе магнитных эффектов иди MRAM (магниторезистивная память) имеет ряд преимуществ перед широко используемой флэш-памятью NAND-типа — это лучшее быстродействие и меньшее потребление во время записи, однако главным препятствием для широкого распространения MRAM остаётся низкая плотность записи.
  • 0
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5


16 декабря 2016 | Технологии

SK Hynix приступила к опытному производству памяти класса 10 нм

К массовому производству DRAM с нормами класса 10 нм SK Hynix приступит во втором квартале 2017 года.
  • 0
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5


12 декабря 2016 | Технологии

Western Digital до 2020 года выпустит диски с новыми технологиями записи

Помимо уже применяющейся у конкурентов черепичной записи появятся накопители с т.н. двухмерной магнитной записью, а также HAMR-диски, где запись происходит на локально разогретые лазером участки магнитной пластины.
  • 0
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5


13 октября 2016 | Технологии

Samsung может опаздывать с внедрением в производство 7-нм техпроцесса

Возможные проблемы Samsung играют на руку компании TSMC.
  • 0
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5


7 октября 2016 | Технологии

Intel создала монструозный процессорный разъём для 70-ядерных ЦП

Новое поколение процессоров Intel Xeon Phi — 14-нм Knight Landing — получило возможность установки в процессорный разъём на материнской плате. Для решения с 70-ю ядрами компания разработала процессорный разъём LGA 3647.
  • 0
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5


27 сентября 2016 | Технологии

Технология AMOLED обойдет технологию а-Si в небольших дисплеях уже в этом году

Продажи дисплеев малого и среднего размера (до 9 дюймов) с активной матрицей, включая жидкокристаллические, органические и электрофоретические, в этом году достигнут 43,4 млрд долларов. При этом наиболее распространенной будет технология низкотемпературного поликристаллического кремния (LTPS).
  • 0
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5


23 августа 2016 | Технологии

Внутри процессоров Samsung обнаружилась крохотная нейросеть

Samsung раскрыла некоторые детали о строении ядер собственной разработки Mongoose, которые используются в процессорах флагманов Samsung Galaxy S7 и S7 edge. В ядрах Mongoose применяется нейронная сеть для предсказания команд процессора.
  • 0
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5


23 августа 2016 | Технологии

ARM разработала масштабируемые векторные инструкции для суперкомпьютерных процессоров

Новая разработка — в виде векторных инструкций с изменяемой разрядностью (scalable vector extensions, SVE) — даёт возможность вывести процессоры с поддержкой инструкций ARM в сегмент суперкомпьютеров.
  • 0
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5


22 августа 2016 | Технологии

Samsung предлагает Z-NAND в ответ на память 3D XPoint от Intel/Micron

При этом компания Samsung будет использовать отлаженное производство, чего ещё долго не будет у Intel и Micron.
  • 0
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5


18 августа 2016 | Технологии

Первые на рынке 3D-чипы памяти на транзисторах с плавающим затвором имеют рекордную плотность и производительность

Micron выпустил чипы памяти для смартфонов с наиболее высокой плотностью и производительностью на рынке, как утверждает сам производитель.
  • 0
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5


16 августа 2016 | Технологии

Вклад Seagate в «закон Яровой»: 60 ТБ SSD будет состоять из «небоскрёбов» 3D NAND

Японцы раздобыли секреты компоновки модели SSD Seagate объёмом 60 Тбайт.
  • 0
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5


16 августа 2016 | Технологии

Western Digital разрабатывает накопитель на памяти ReRAM

Память ReRAM будет дороже памяти 3D NAND равной ёмкости (в терминах Toshiba — BiCS), но дешевле производства DRAM равного объёма.
  • 0
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5


12 августа 2016 | Технологии

Samsung Electronics представила 64-слойную флэш-память V-NAND и SSD рекордного объема для "закона Яровой"

Компания Samsung Electronics представила на мероприятии Flash Memory Summit 2016 новейшие решения на базе флэш-памяти. В частности, показаны микросхемы флэш-памяти с объемной компоновкой V-NAND четвертого поколения и накопители большого объема.
  • 0
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5


21 июля 2016 | Технологии

Высокие риски внедрения 10-нм техпроцесса вынуждают Intel "плодить сущности" на 14-нм техпроцессе

Японские источники засветили планы Intel по выпуску энергоэфективных процессоров на два года вперед.
  • 0
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5


20 июля 2016 | Технологии

Самый компактный твердотельный накопитель создали из отдельных атомов

Нидерландские ученые создали самое компактное средство хранения информации: каждый бит данных в нем кодируется местоположением одного атома хлора. Пока емкость устройства составляет один килобайт. Теоретически достигнутая плотность записи (500 терабит на квадратный дюйм) позволит записать все созданные человечеством книги на одной почтовой марке. Об изобретении сообщается в журнале Nature Nanotechnology.
  • 0
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5


15 июля 2016 | Технологии

ARM поможет imec с оптимизацией составляющих 7-нанометрового и более тонких техпроцессов

Разработка и освоение полупроводникового техпроцесса подразумевает учет большого количества факторов, которые в конечном итоге определяют энергопотребление, производительность, размеры и стоимость микросхем.
  • 0
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5


15 июля 2016 | Технологии

Американский химик-блогер показал, как добывать золото из микросхем в домашних условиях: видео

Американский химик-любитель показал, как выплавлять золото из компьютерных микросхем в домашних условиях. Об этом сообщает Gizmodo.
  • 0
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5


15 июля 2016 | Технологии

Британские ученые обнаружили, что почва под солнечными батареями недополучает солнечного тепла

Ученые намерены провести подобные наблюдения в других климатических поясах, чтобы понять, какой эффект оказывают солнечные батареи на экосистему, и выработать рекомендации по их оптимальной конструкции и размещению.
  • 0
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5


29 июня 2016 | Технологии

Представлены первые решения с поддержкой черновых спецификаций PCIe 4.0

На конференции PCI-SIG DevCon прошла демонстрация первых готовых к выходу на производство решений с поддержкой спецификаций PCIe 4.0.
  • 0
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5


28 июня 2016 | Технологии

Создан способ похищения данных с ПК через вентилятор

Продемонстрирован способ хищения данных с ПК посредством охлаждающего вентилятора. Для этого в систему было установлено приложение, произвольно меняющее частоту его вращения. Лежащий рядом с ПК смартфон фиксировал изменения звука работающего кулера и записывал данные. Ранее исследователи продемонстрировали аналогичный способ хищения данных с изолированного от сети компьютера, использовав для этой цели встроенный динамик.
  • 0
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5


9 июня 2016 | Технологии

ARM подготовила физические ядра ARM Cortex-A73 для разработки SoC в рамках 16-нм техпроцесса

Новые ядра вкупе с «компактным» техпроцессом значительно мощнее и энергоэффективнее ядер предыдущего поколения.
  • 0
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5


7 июня 2016 | Технологии

Нанопечатная литография поможет Toshiba сэкономить при производстве NAND-флэш

С помощью технологии нанопечати Toshiba планирует приступить к выпуску планарной NAND-флэш с технологическими нормами класса 10 нм
  • 0
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5


2 июня 2016 | Технологии

Samsung выпустила 512-ГБ SSD в формате BGA-микросхемы

Samsung представила первый на рынке твердотельный накопитель размером с почтовую марку. Первые партии устройства уже отгружаются заказчикам.
  • 0
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5


25 мая 2016 | Технологии

E Ink представила полноцветные электрофоретические дисплеи ACeP

Компания E Ink на выставке SID Display показала новые цветные электрофоретические дисплеи — 20-дюймовые панели Advanced Color ePaper (ACeP).
  • 0
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5


24 мая 2016 | Технологии

GlobalFoundries готова выпускать интегрированные решения на SiGe с нормами 130 нм

Летом прошлого года заводы компании IBM полностью перешли в собственность компании GlobalFoundries. Среди прочего компания GlobalFoundries получила 200-мм линии по обработке пластин с использованием германия и кремния.
  • 0
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5


20 мая 2016 | Технологии

Toshiba создала техпроцесс DTMOS V для изготовления МОП-транзисторов Superjunction

Компания Toshiba Electronics Europe объявила о разработке технологического процесса производства полупроводниковых приборов Superjunction (SJ) с глубокой канавкой нового поколения для изготовления МОП-транзисторов. Устройства, изготовленные на основе нового технологического процесса DTMOS V, обеспечивают снижение уровня шума от электромагнитных помех и сопротивления в открытом состоянии (RDS(ON)) по сравнению с МОП-транзисторами на основе предыдущего технологического процесса DTMOS IV.
  • 0
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5


40 / 1225

1 |2 |3 |4 |5 |6 |7 |8 |9 |10 |11 |12 |13 |14 |15 |16 |17 |18 |19 |20 |21 |22 |23 |24 |25 |26 |27 |28 |29 |30 |31
 

Горячие темы

 
 




Rambler's Top100
Руководителям  |  Разработчикам  |  Производителям  |  Снабженцам
© 2007 - 2017 Издательский дом Электроника
Использование любых бесплатных материалов разрешено, при условии наличия ссылки на сайт «Время электроники».
Создание сайтаFractalla Design | Сделано на CMS DJEM ®
Контакты