Вход |  Регистрация
 
 
Время электроники Вторник, 17 сентября
 
 


Это интересно!

Новости


Обзоры, аналитика


Интервью, презентации

Ранее

3 декабря в Москве пройдет Первый международный нанофорум

В «Экспоцентре» 3 декабря откроется первый в истории международный форум наноиндустрии с участием трех тысяч челочек из 32 стран мира, сообщил вице-премьер РФ Сергей Иванов на заседании президиума правительства в понедельник.

Звуковые волны вернут солдат в строй

Американские ученые по заказу DARPA разработали уникальную технологию DBAC, в перспективе позволяющую вернуть в строй большую часть личного состава, оказавшегося небоеспособным из-за многочисленных ранений и большой потери крови и оставить в живых раненых с тяжелыми внутренними кровотечениями.

UMC будет внедрять high-k диэлектрики в рамках 32 нм техпроцесса

Компания TSMC недавно заявила о готовности начать массовое производство изделий по 40 нм технологии, а также поделилась планами по освоению 32 нм и 28 нм техпроцессов. Если первый она считает промежуточным этапом на пути к 28 нм технологии, то непосредственно 28 нм техпроцесс приносит существенные нововведения типа транзисторов с металлическим затвором и материалов с высоким значением диэлектрической константы (high-k).

 

1 декабря

Магнитные полупроводники – будущее систем хранения данных?

Ученые Национального института стандартов и технологий NIST (National Institute of Standards and Technology) впервые смогли продемонстрировать наличие не только электронных, но и особых магнитных свойств у специальным образом изготовленных полупроводниковых материалов.

В

опубликованной статье сотрудники NIST, Korea University и University of Notre Dame подтверждают высказываемую теоретиками гипотезу о существовании эффекта под названием антиферромагнитная связь в тонких магнитных слоях полупроводников.

Это явление заключается в том, что каждый из слоев выстраивает свой магнитный полюс в противоположном направлении по отношению к смежному слою. Открытие антиферромагнитной связи в металлах удостоилось прошлогодней Нобелевской премии по физике, но лишь недавно указанный эффект обнаружен и в полупроводниках. Базирующиеся на нем чипы смогут не только обрабатывать данные, но и хранить их.

Коллектив в NIST Center for Neutron Research исследовал структуру из тонких пленок GaAs, где часть атомов галлия были заменены на магнитные атомы марганца, разделенных слоями немагнитного материала. Для этого использовался метод нейтронной рефлектометрии: пучек этих частиц проникал сквозь весь экспериментальный материал, а отраженные нейтроны доставляли информацию о намагниченности отдельных слоев. При низких температурах (около 30 K) и слабых магнитных полях такая методика однозначно подтвердила существование эффекта антиферромагнитной связи в полупроводниках.

По материалам NIST

Оцените материал:

ee

Комментарии

0 / 0
0 / 0

Прокомментировать







 

Горячие темы

 
 




Rambler's Top100
Руководителям  |  Разработчикам  |  Производителям  |  Снабженцам
© 2007 - 2019 Издательский дом Электроника
Использование любых бесплатных материалов разрешено, при условии наличия ссылки на сайт «Время электроники».
Создание сайтаFractalla Design | Сделано на CMS DJEM ®
Контакты