Вход |  Регистрация
 
 
Время электроники Вторник, 17 сентября
 
 


Это интересно!

Новости


Обзоры, аналитика


Интервью, презентации

Ранее

NXP улучшила RF технологию

Компания NXP Semiconductors расширила возможности процесса QUBIC4 BiCMOS, повысив уровень интеграции и эффективность работы на сверхвысоких частотах.

Американцы будут искать воду на Луне с помощью российского прибора

На 17 июня запланирован запуск космического аппарата НАСА «Лунный орбитальный разведчик» (Lunar Reconnaissance Orbiter, LRO) с российским нейтронным детектором ЛЕНД (LEND, Lunar Exploration Neutron Detector) на борту, - сообщает РИА Новости. После перелета разведчик выйдет на рабочую окололунную орбиту высотой 50 км, с которой будет вести с помощью ЛЕНДа поиск водяного льда на Луне.

GE продемонстрировала недорогую технологию голографической записи

Ученые из GE Global Research – исследовательского крыла компании General Electric добились серьезных результатов в работе над технологиями голографического хранения данных, сообщает информационное агентство New York Times. Пока успех ограничен лишь демонстрацией в лабораторных условиях, но в перспективе предусматривается создание диска стандартного размера, который сможет вмещать до 500 ГБ информации.

 

8 июня

Разработан полностью органический транзистор для схем памяти

Исследователи из университета Durham (University of Durham) создали полностью органический транзистор для замены кремниевой флэш памяти. При его изготовлении были использованы органические полупроводниковые и изоляционные материалы. Эквивалентом плавающего затвора флэш транзистора в них служит слой из золотых наночастиц.

Э

ти частицы встроены в промежуток между изолятором MOSFET затвора из PMMA (polymethylemethacrylate) и каналом из пентацена (pentacene). Каждая частица золота изолирована от окружающих мономолекулярным слоем пентацена (capping layer), созданным до сборки прибора.

Согласно разработчикам, отрицательный потенциал на затворе (устройство является p-канальным MOSFET) не только включает устройство, но заставляют дырки туннелировать в золотые частицы, снижая в них число электронов и сообщая им положительной заряд. Этот заряд остается в золоте и может быть представлен как сохраненный бит (информации), который продолжает смещать канал после снятия с затвора потенциала.

При подаче на затвор положительного потенциала происходит туннелирование электронов в золотые частицы, создавая в них отрицательное смещение, которое остается после снятия потенциала. Геометрия устройства такова, что потенциалы стока и истока не могут создать достаточного электрического поля в частицах, чтобы вызвать прокладку тоннелей.

При напряжении на затворе 10 В и токе стока 50 нА и 20 пА в транзисторе наблюдаются два устойчивых состояния, которые могут быть использованы для хранения информации. Эти уровни достаточно стабильны во времени. Их изменения не превышали 20 нА и 1 пА в течение нескольких дней.

Отчетливо наблюдаемый гистерезис может быть использован для хранения данных, что показано на экспериментальном образце транзистора памяти. «Если вы собираетесь переходить на практические устройства, вам нужно сделать гистерезис с большим размахом для хранения большего заряда в частицах», говорит проф. Mike Petty, разработчик прибора. «Для этого необходимо увеличить плотность «корпусированных» золотых частиц».

Для переключения транзистора на его затвор необходимо подать потенциал в несколько десятков вольт, что неприемлемо для практических схем. Petty на это замечает, что многие организации снизили рабочее напряжение органических транзисторов до уровня менее 10 В. «Мы легко можем создать прибор с напряжением 10 В, поскольку в этом случае предъявляются менее жесткие требования к изолятору».

Хотя многие исследователи и компании активно занимаются органическими приборами, они еще весьма далеки от создания устройств, приближающихся по своей долговечности и быстродействию к кремниевым полупроводникам.

Оцените материал:

Источник: ElectronicsWeekly

ee

Комментарии

0 / 0
0 / 0

Прокомментировать







 

Горячие темы

 
 




Rambler's Top100
Руководителям  |  Разработчикам  |  Производителям  |  Снабженцам
© 2007 - 2019 Издательский дом Электроника
Использование любых бесплатных материалов разрешено, при условии наличия ссылки на сайт «Время электроники».
Создание сайтаFractalla Design | Сделано на CMS DJEM ®
Контакты