Вход |  Регистрация
 
 
Время электроники Понедельник, 19 февраля
 
 


Это интересно!

Ранее

Applied открывает эру интеллектуальных установок травления

С целью снижения стоимости производства 3D-микросхем, а также других приложений компания Applied Materials приступила к серийному производству интеллектуальных систем травления с высокой производительностью.

Новый формат карт памяти позволит увеличить их емкость до 2ТБ

Корпорации SanDisk, Nikon и Sony объявили о совместной разработке набора спецификаций для профессиональных цифровых фотоаппаратов и видеосъемки.

Доказана возможность создания квантовых жестких дисков

Исследователи из Калифорнийского института технологий показали, что благодаря явлению квантовой сцепленности можно одновременно передавать целые блоки квантовой информации, что доказывает концепцию создания квантовых жестких дисков.

 

7 декабря

Intel и Micron сообщают о создании новой технологии NAND-памяти

Во время Международной встречи по электронным устройствам (International Electron Device Meeting, IEDM) корпорации Intel и Micron Technology подробно рассказали о новейшей разработке 25-нм технологии производства NAND-памяти. Для участников этого мероприятия был припасен сюрприз: оказалось, это первая технология с воздушным зазором в коммерческих кристаллах.

У

Intel и Micron имеется совместное предприятие по разработке кристаллов памяти – IM Flash Technologies LLC. Эти две компании уже анонсировали и поставили первые партии 25-нм NAND-компонентов. Однако до сих пор ничего не сообщалось об использовании воздушного зазора в качестве диэлектрика в ячейках памяти.

«Это первое коммерческое применение технологии воздушного зазора», – заявил Дик Джеймс (Dick James), аналитик из компании Chipworks. Многие компании, включая IBM, только намеревались разработать данный метод.

В докладе Intel и Micron сообщается о 64-Гбайт MLC-устройстве (Multi-Level Cell –многоуровневая ячейка). Половина ячейки памяти площадью 0,0028 мкм2 отведена числовой 24,5-нм шине, другая половина – 28,5-нм разрядной шине.

Ячейка формируется методом уменьшения шага с использованием 193-нм иммерсионной литографии, которая позволяет оптимизировать неровности краев и вариации критических размеров.

На 25 нм 5-% отклонение от критического размера составляет примерно 3 кристаллических решетки кремния. Глубину профиля щели нельзя намного изменить из-за ограничивающего соотношения 7:1.

Любая структурная диспропорция может привести к смещению канала до 10 нм при изменении критического размера всего на 3 нм. Управление структурными изменениями необходимо для того, чтобы получить требуемое распределение электрического заряда в ячейках NAND-массива. Значительное изменение шага числовой шины приводит к увеличению емкости между слоями числовых шин, а также взаимного влияния ячеек.

Чтобы преодолеть эти затруднения, между слоями числовых и разрядных шин были созданы воздушные промежутки.

 

Источник: EETimes

 

Оцените материал:

Комментарии

0 / 0
0 / 0

Прокомментировать







 

Горячие темы

 
 




Rambler's Top100
Руководителям  |  Разработчикам  |  Производителям  |  Снабженцам
© 2007 - 2018 Издательский дом Электроника
Использование любых бесплатных материалов разрешено, при условии наличия ссылки на сайт «Время электроники».
Создание сайтаFractalla Design | Сделано на CMS DJEM ®
Контакты