Вход |  Регистрация
 
 
Время электроники Четверг, 24 мая
 
 

Это интересно!

Ранее

Технология DSA выходит на производственный уровень

Imec запускает первую в мире производственную линию прямой самосборки (DSA – Directed Self-Assembly).

Обнаружен новый тип электронного взаимодействия

Ученые из университета Нового Южного Уэльса (UNSW) обнаружили новый тип взаимодействия между электронами одноатомного кремниевого транзистора. Возможно, это открытие ляжет в основу создания электронных устройств нового типа.

Исследователи получили новую модификацию оксида гафния

Исследователи Кембриджского университета разработали новую модификацию оксида гафния, который применяется в современном производстве микросхем. В настоящее время изучается возможность его использования в энергонезависимой памяти нового типа.

 

17 февраля 2012

И снова — шумный спор о мемристорах

На сайте arXiv.org, представляющем собой крупнейший архив научных статей по физике, математике, астрономии, информатике и биологии, разгорелась нешуточная дискуссия на тему о мемристоре — возможном компоненте энергонезависимой памяти будущего.

Профессор Хенгсук Ким (Hyongsuk Kim), факультет электронной техники Национального университета Чонбука, и двое его коллег опубликовали статью, в которой утверждается, что смыкающиеся петли гистерезиса указывают на мемристивные признаки того или иного устройства. Статья профессора Кима опровергает выводы опубликованной ранее статьи Блеза Мутте (Blaise Mouttet), который сделал выводы об ошибочности предположения о том, что все кривые гистерезиса определяют мемристоры.

Термин «мемристор» используется для описания двухполюсных энергонезависимых устройств памяти, которые разрабатываются в настоящее время и могут иметь широкое коммерческое применение. Таким образом, дискуссии о мемристорах носят не только академический характер. Если Мутте пытается доказать, что выводы профессора Леона Чуа (Leon Chua), создателя теории мемристора в 1971 г., ошибочны, профессор Ким и его соавторы критикуют Мутте, пытаясь с помощью математических выкладок доказать обратное.

Профессор Чуа использует термин «мемристор» для описания четвертого фундаментального двухполюсного пассивного элемента наряду с резистором, конденсатором и катушкой индуктивности. Компания Hewlett-Packard начала еще до 2008 г. разрабатывать технологию резистивной памяти RAM металл-оксидного типа на основе мемристора. Мутте заявил, что запоминающее устройство, которое разрабатывается в лаборатории HP Labs, не является мемристором и относится к более широкому классу систем с переменным сопротивлением. Этот класс систем охватыват резистивную память RAM (RRAM, или ReRAM), память с изменением фазового состояния (PCM), или PCRAM, память с проводящим мостом (conductive-bridging RAM, CBRAM), а также сегнетоэлектрическую RAM (FRAM).

Архив arXiv.org был создан для предварительной публикации статей, которые на заре появления интернета распространялись по электронной почте. Публикации на этом ресурсе не рецензируются.

Источник: EETimes

Читайте также:
Теория мемристора несостоятельна?
Создан первый гибкий мемристор
Hewlett-Packard ответила на критику о несостоятельности теории мемристоров

Оцените материал:

Комментарии

0 / 0
0 / 0

Прокомментировать







 

Горячие темы

 
 




Rambler's Top100
Руководителям  |  Разработчикам  |  Производителям  |  Снабженцам
© 2007 - 2018 Издательский дом Электроника
Использование любых бесплатных материалов разрешено, при условии наличия ссылки на сайт «Время электроники».
Создание сайтаFractalla Design | Сделано на CMS DJEM ®
Контакты