Вход |  Регистрация
 
 
Время электроники Воскресенье, 8 декабря
 
 


Это интересно!

Ранее

Фрактальные наноразмерные структуры для солнечной энергетики

Микроскопические «фрактальные деревья» из серебра могут стать основой нового типа солнечных элементов.

У графена появился соперник — графин

Он должен обладать более перспективными электрическими свойствами, пригодными для создания электронных устройств, чем графен.

Новый сверхтонкий и супервязкий наноклей для микрочипов

Инженеры Калифорнийского университета в Дэвисе (UC Davis) изобрели сверхтонкий наноклей, который может быть использован в производстве нового поколения микрочипов.

 

11 марта 2012

IMEC готова к созданию 14-нм кристаллов

Появление 14-нм тестового кристалла ожидается во второй половине текущего года.

Европейский научно-исследовательский институт IMEC выпустил комплект разработки для логических микросхем. Это первый в отрасли пакет для проектирования 14-нм кристаллов. Комплект предусматривает ряд технологий, которые будут востребованы при проектировании по норме 14 нм, включая устройства на основе транзисторов FinFET и субмикронную ультрафиолетовую (EUV) литографию. В состав набора PDK также входят компактные модули устройств, средства выделения паразитных элементов, правила проектирования, параметрические ячейки p-cell и базовые логические ячейки.

Набор PDK был создан в рамках совместной научно-исследовательской программы INSITE, в которой принимают участие компании Altera, Nvidia и Qualcomm. В анонсе этого комплекта не указано, кто из производителей полупроводников принял участие в этой программе.

Появление 14-нм тестового кристалла ожидается во второй половине текущего года. В ведении IMEC имеется 300-мм экспериментальная кремниевая фабрика, где находится установка совмещения и последовательного шагового мультиплицирования. Это одна из очень немногих фабрик в мире, на которой может быть изготовлен 14-нм тестовый кристалл.

Комплект PDK позволит компаниям разрабатывать технологические процессы изготовления устройств на основе FinFET-транзисторов. Технология FinFET превосходит планарную КМОП-технологию транзисторов за счет большей производительности при сравнительно низких напряжениях питания. Предполагается дальнейшее совершенствование комплектов разработки PDK при использовании материалов с высокой подвижностью носителей заряда – германия, полупроводниковых соединений и графена. Новый пакет разработчика обеспечивает поддержку средств иммерсионной и субмикронной УФ-литографии, что позволяет постепенно перейти от одного метода к другому.

Производство тестового кристалла во второй половине 2012 г. позволит выполнить физические измерения производительности и энергопотребления, а также проверить другие предположения.

Источник: EE Times, Electronicsweekly

Читайте также:
IMEC и ARM: возможно ли сотрудничество?
Институт IMEC установил превосходство FinFET-технологии
Количество заказов на 28-нм производство TSMC утроилось
Путь полупроводниковой отрасли на 10 лет вперед
Intel представила 22-нм центральные процессоры Ivy Bridge
Производительность завтрашних систем
Intel понижает прогноз по IV кв. и начинает осваивать 14-нм процесс
Qualcomm перечисляет основные трудности в производстве микросхем
Российская микроэлектроника 2011/2012: итоги и прогнозы
TSMC может опередить Intel в производстве 3D-кристаллов

Оцените материал:

Комментарии

0 / 0
0 / 0

Прокомментировать







 

Горячие темы

 
 




Rambler's Top100
Руководителям  |  Разработчикам  |  Производителям  |  Снабженцам
© 2007 - 2019 Издательский дом Электроника
Использование любых бесплатных материалов разрешено, при условии наличия ссылки на сайт «Время электроники».
Создание сайтаFractalla Design | Сделано на CMS DJEM ®
Контакты