Вход |  Регистрация
 
 
Время электроники Четверг, 19 сентября
 
 


Это интересно!

Новости


Обзоры, аналитика


Интервью, презентации

Ранее

Изобретен лазерный анти-принтер для уничтожения и подделки документов

Британские ученые разработали технологию удаления напечатанного текста с обычного бумажного листа. Полученный белый лист затем можно использовать в печати повторно еще несколько раз, повторяя удаление тонера. В техноблогах мелькают опасения, что эта технология может быть использована для подделки документов.

Рубеж в 1 Тбит/с для скорости передачи данных одним чипом покорён!

Инженеры IBM разработали опытный образец кристалла оптического трансивера Holey Optochip со скоростью передачи данных выше 1 Тбит/с. Это в 8 раз больше, чем у существующих решений.

Направленная «глушилка» отучит болтунов вести мешающие другим разговоры

Японские ученые из Национального института передовой промышленной науки и технологий создали уникальное устройство, которое способно заглушить гул голосов на конференциях, встречах, в кинотеатрах, библиотеках и т.д.

 

19 марта 2012

Новая эпоха в оксидной электронике

Исследователи из Государственного университета Северной Каролины создали первые функциональные оксидные тонкие пленки p- и n-типа для электронных устройств.

И

сследователи считают, что эти пленки могут с успехом использоваться в более мощных электронных устройствах и интеллектуальных датчиках нового вида, т.к. впервые в одном оксидном материале были получены положительно и отрицательно заряженные области проводимости (p- и n-типа). Таким образом, можно говорить о новой эпохе в развитии оксидной электроники.

Основу функциональных электронных устройств составляют материалы с p-n-переходом, в котором взаимодействуют положительно и отрицательно заряженные частицы. Возможности твердотельной полупроводниковой электроники в большей мере ограничены диапазонами рабочей мощности и температуры по сравнению с оксидными материалами. Однако исследователям не удавалось создать эффективный p-n-переход в этих веществах.

Наконец, группа ученых под руководством д-ра Джея Нарайана (Jay Narayan) решила эту задачу, использовав одинаковый материал для реализации проводимости p- и n-типа. Исследователи воспользовались лазерами для создания тонких пленок положительно заряженного оксида никеля (NiO), а затем изменили проводимость их верхнего слоя на n-тип. Управляя толщиной n-слоя, ученые изменяли глубину и характеристики p-n-перехода.

Поскольку оксидные материалы выдерживают большие напряжения и температуры, чем электронные устройства на основе кремния, эти материалы можно использовать для создания высоковольтных ключей и датчиков, применяемых в условиях повышенных температур.

Источник: ScienceDaily

Читайте также:
Исследование псевдозоны может стать ключом к получению сверхпроводящего состояния при комнатной температуре
Технология напыления тонких пленок

Оцените материал:

Комментарии

0 / 0
0 / 0

Прокомментировать







 

 
 




Rambler's Top100
Руководителям  |  Разработчикам  |  Производителям  |  Снабженцам
© 2007 - 2019 Издательский дом Электроника
Использование любых бесплатных материалов разрешено, при условии наличия ссылки на сайт «Время электроники».
Создание сайтаFractalla Design | Сделано на CMS DJEM ®
Контакты