Вход |  Регистрация
 
 
Время электроники Суббота, 18 января
 
 

Это интересно!

Ранее

Новые возможности суперконденсаторов с графеновыми электродами

Появление суперконденсаторов, которые совмещают лучшие характеристики конденсаторов и высокую энергетическую плотность батарей, стало заметным прогрессом в развитии технологии аккумуляции электроэнергии.

Протеиновые транзисторы — альтернатива кремниевой электронике

Исследователи из Тель-Авивского университета создали биологически разлагающиеся транзисторы из органических протеинов.

Интерфейс Thunderbolt: 30 Гбайт за 30 секунд — это уже реальность

Смотрите первые тесты нового интерфейса при помощи MacBook Pro.

 

22 марта 2012

Темпы освоения новых топологических норм замедляются

Развитие полупроводниковой отрасли переходит в очень неопределенную фазу, наступление которой связано с концом двухлетнего цикла, в течение которого традиционно уменьшаются размеры элементов топологии.

В

этой связи Гендель Джонс (Handel Jones), глава консультационно-аналитической фирмы International Business Strategies, следующим образом обрисовал свое видение состояния и дальнейшего развития этой индустрии.

1. Серийный выпуск продукции по нормам 32/28 нм стал определяться уже трехлетним циклом: на долю изделий, изготовленных по нормам 45/40 нм, пришлось 10% всего объема продукции, которая была выпущена в IV кв. 2009 г. Тот же показатель для 32/28-нм продукции будет достигнут лишь в IV кв. 2012 г.

2. Крупносерийный выпуск 22-нм компонентов по технологии трехзатворных транзисторов FinFET состоится спустя более чем два года после запуска производства 32-нм изделий. FinFET – сложная технология. Несмотря на заметные успехи Intel в этом направлении, необходимо решить немало дополнительных проблем для поддержки нескольких пороговых напряжений и уровней VDD для питания СнК.

3. Реализация 20-нм планарной КМОП-технологии следующего поколения столкнется с рядом дополнительных трудностей контроля допусков по сравнению с 28-нм технологией. В результате стоимость 20-нм кристаллов из расчета на 1 млн вентилей окажется выше, чем для 28-нм кристаллов.

Зависимость между стоимостью реализации изделий (из расчета на 1 млн вентилей) и топологической нормой. Wrong trend – Неверная тенденция

Если все-таки стоимость реализации технологии по норме 20 нм вырастет, потребуется дополнительное уплотнение элементов, что чревато удлинением установленных сроков реализации проектов. Стоимость производства 14-нм кристаллов тоже может оказаться выше.

4. Предполагается, что после освоения 20-нм процесса станет использоваться 14-нм технология FinFET. Однако на этом пути возникнут такие проблемы как покрытие ступеньки (качественное заполнение осаждаемым материалом очень узких зазоров между элементами ИС), контроль размеров транзисторов, использование методов двойного и даже четверного формирования рисунка на нескольких слоях.

Переход от планарной к трехзатворной технологии. Рисунок: Intel

Ясно, что субмикронная ультрафиолетовая литография не будет готова к 2014–2015 гг., поэтому будут применяться методы 193-нм литографии. Недавние проблемы с установками электронно-лучевой литографии для формирования 28-нм интегральных схем показали, что уже достигнуты пределы применения многих технологий.

При переходе на FinFET-структуры потребуется разработка новых библиотек, испытания опытных образцов кристаллов и отладка серийного производства. На 14 нм стоимость проектирования сложных кристаллов достигнет 200–500 млн долл., а повторное изготовление обойдется в 20–50 млн долл. Резко вырастет цена ошибок.

По всей видимости, крупносерийное производство по 14-нм FinFET-технологии вне Intel не начнется до 2016–2017 гг. Для его окупаемости понадобится, чтобы выпускаемые изделия имели меньшее потребление и стоимость из расчета на 1 млн вентилей по сравнению с технологиями предыдущих поколений.

После освоения 14 нм предстоит решить еще ряд задач (субмикронная УФ-литография, 450-мм пластины, углеродные нанотрубки и т.д.). Представителям полупроводниковой отрасли следует понимать, что проблемы с поставками усложняются, и время, необходимое для перехода на меньшие топологические нормы, увеличивается. Цепочка поставок, которая включает поставщиков оборудования, фотошаблонов, разработчиков ИС и вендоров электронных изделий, должна подстроиться под использование новых технологий.

Учитывая, что ежемесячные капитальные расходы при изготовлении 10 тыс. кремниевых пластин составляют 1 млрд долл., издержки для их поставщиков окажутся очень высокими, если не будут приняты своевременные меры, предусматривающие переход к новым технологиям.

Источник: EE Times

Читайте также:
Пять нестыковок в докладе вице-президента IBM
Субмикронная УФ-литография появится нескоро
Ученые из Массачусетского института технологий добились 9-нм разрешения
Битва между Globalfoundries и TSMC на пути к 20 нм и далее
IBM и Toppan воспользуются иммерсионной литографией для 14-нм процесса
IMEC готова к созданию 14-нм кристаллов
Новый подход в тестировании объемных кристаллов
Mentor готовит инструменты для 16 нм
ASML лидирует по продажам производственного оборудования в 2011 г.
Компания ASML выпускает EUV-оборудование для 16-нм техпроцесса
Дискуссия о перспективах субмикронной литографии и 450-мм пластин

Оцените материал:

Комментарии

1 / 1
1

122 марта, 12:14

Владимир Кондратьев

Закон Мура, о котором так долго говорили больш... интеловцы, похоже, накрывается медным тазом! Теперь мобильники будем менять не через каждые два года, а через три. Вот беда-то...

1 / 1
1

Прокомментировать







 

Горячие темы

 
 




Rambler's Top100
Руководителям  |  Разработчикам  |  Производителям  |  Снабженцам
© 2007 - 2020 Издательский дом Электроника
Использование любых бесплатных материалов разрешено, при условии наличия ссылки на сайт «Время электроники».
Создание сайтаFractalla Design | Сделано на CMS DJEM ®
Контакты