Вход |  Регистрация
 
 
Время электроники Среда, 18 сентября
 
 


Это интересно!

Новости


Обзоры, аналитика


Интервью, презентации

Ранее

Ученые придумали термомаскировку для электроники

Группа французских ученых предложила новый подход к созданию невидимости в инфракрасном диапазоне. Тепловая маскировка работает на тех же принципах, что и оптическая, и в перспективе позволит разработать новые способы теплоотвода в электронике, открыть новые возможности при конструировании космических аппаратов и военной техники.

«Шарики» Эйлера послужат робототехнике

Ученые из Массачусетского технологического института разработали оригинальную складывающуюся конструкцию, которая открывает новые возможности в архитектуре, медицине и робототехнике.

Аккумуляторы станут делать из древесины

Европейские физики разработали технологию, которая позволяет превращать «бурый ликер» — жидкие отходы с целлюлозно-бумажных комбинатов — в дешевые и экологичные электроды для литиево-ионных аккумуляторов и других источников электричества.

 

1 апреля 2012

Графеновые микросхемы толщиной в один атом углерода могут создаваться крупносерийно

Уникальные электрические свойства графена вдохновляют многих ученых на создание интегральных схем толщиной в один атом углерода. Однако на пути коммерческой реализации этих идей имеются определенные трудности.

У

ченые из Университета Флориды недавно решили одну из таких проблем, связанную с крупносерийным производством графена.

Эта группа ученых разработала новый многообещающий метод создания графена на поверхности карбида кремния (SiC). При температурах около 1300°С атомы кремния покидают поверхность этого материала, в результате чего атомы углерода образуют пластины чистого графена. Прежде ученые использовали метод термического разложения для создания графеновых пластин большого размера, которые затем подвергались травлению до образования требуемых структур.

Однако в процессе травления могут появляться дефекты или химические примеси, которые уменьшают высокую подвижность электронов в графене. Метод, разработанный группой ученых из Университета Флориды, позволяет ограничить размер графеновой структуры 20-ю нанометрами. Исследователи обнаружили, что температура образования графена на поверхности карбида кремния, легированного ионами кремния или золота, уменьшалась приблизительно на 100°С. При этом ионы имплантировались только в те места, где требовалось образование графеновых слоев. Затем карбид кремния разогревался до 1200°С. При этой температуре беспримесный карбид кремния не образует графена, в отличие от легированных областей.

С помощью этого метода группа ученых создала наноразмерные графеновые ребра. Дальнейшее усовершенствование этого метода, описанного в журнале Applied Physics Letters Американского института физики, по мнению ученых, позволит избирательно выращивать графен при еще более низких температурах.

Источник: Science Daily

Читайте также:
Химически модифицированный графен для новой электроники
Новые возможности суперконденсаторов с графеновыми электродами
IMEC готова к созданию 14-нм кристаллов
Фрактальные наноразмерные структуры для солнечной энергетики
Великобритания вложит 120 млн долл. в исследования графена
Прорыв в нанофотонике видимого спектра: первые схемы

Оцените материал:

Комментарии

0 / 0
0 / 0

Прокомментировать







 

 
 




Rambler's Top100
Руководителям  |  Разработчикам  |  Производителям  |  Снабженцам
© 2007 - 2019 Издательский дом Электроника
Использование любых бесплатных материалов разрешено, при условии наличия ссылки на сайт «Время электроники».
Создание сайтаFractalla Design | Сделано на CMS DJEM ®
Контакты