Вход |  Регистрация
 
 
Время электроники Пятница, 13 декабря
 
 


Это интересно!

Ранее

«Электронный нос» зашьют в одежду

Британская компания Peratech предлагает вшивать в одежду миниатюрный электронный датчик летучих соединений.

Computex 2012: прорыв в ИК-технологии сенсорных дисплеев

Китайская компания Beijing Irtouch Systems покажет на выставке Computex 2012 результаты своих новеших разработок в области инфракрасных сенсорных экранов, поддерживающих технологию множественного прикосновения.

Метаматериалы помогли создать детали теплового компьютера

Физики воплотили в жизнь идею создания на основе метаматериалов экзотических тепловых устройств, управляющих потоками тепла – изолятора, концентратора и инвертора.

Реклама

По вопросам размещения рекламы обращайтесь в отдел рекламы

Реклама наших партнеров

 

16 мая 2012

Мемристоры скоро заменят DRAM и флеш-память

Микро- и наноэлектронный научный центр IMEC отчитается в следующем месяце на симпозиумах VLSI в Гонолулу о состоянии разработки разновидности мемристора — резистивной памяти RAM (RRAM).

В

докладах представителей центра IMEC, утверждающих о готовности запуска устройств RRAM в серийное производство по нормам ниже 20 нм, будет описана поперечная архитектура. Эта архитектура характеризуется большей плотностью, быстродействием и меньшим энергопотреблением по сравнению с плоской и может заменить любой тип памяти, включая DRAM.

В резистивной ОЗУ (RRAM) оксид гафния (мемристивный материал) помещен между металлическими электродами. Источник: IMEC

По мнению ученых IMEC, совместно работающих с другими научно-исследовательскими коллективами над созданием разновидности мемристора, единая технология памяти придет на смену флэш-памяти и другим разновидностями ОЗУ. Напомним, что мемристор был изобретен профессором Леоном Чуа (Leon Chua) из Университета Калифорнии-Беркли, а затем его разработкой занялась компания Hewlett-Packard.

По мнению исследователей IMEC, компания HP под мемристором понимает устройство с определенными вольтамперными характеристиками, типичными для любой ячейки памяти RRAM, где происходит электрохимическая миграция вакансий кислорода в наномасштабной области между поверхностью перовскитного оксида и металлическим электродом.

В разрабатываемых HP мемристорах используется интерфейсный тип переключения, тогда как ученые из IMEC применяют метод нитевидного переключения. При этом вакансии кислорода выстраиваются вдоль токопроводящей дорожки, наличие которой определяется их миграцией. Так или иначе, создаются поперечные массивы с очень высокой плотностью, которые используют программирующее напряжение для миграции вакансий кислорода, позволяя изменять сопротивление битовых ячеек энергонезависимым способом.

По словам исследователей из IMEC, с помощью метода нитевидного переключения им удалось сократить время программирования до долей наносекунд, а рабочие токи – до менее чем 500 нА.

На предстоящих в июне мероприятиях исследователи IMEC представят четыре доклада о мемристорах: «Dynamic ‘Hour Glass’ Model for Set and Reset in Hafnium Oxide RRAM», «Ultralow sub-500nA Operating Current in High-Performance Bipolar RRAM Achieved Through Understanding-Based Stack-Engineering», «Process-Improved RRAM Cell Performance and Reliability and Paving the Way for Manufacturability and Scalability for High Density Memory Application» и «Field-Driven Ultrafast sub-ns RRAM Programming».

Источник: EE Times

Читайте также:
Теория мемристора несостоятельна?
И снова — шумный спор о мемристорах
Hewlett-Packard ответила на критику о несостоятельности теории мемристоров
HP и Hynix объединяются для коммерциализации мемристора

Оцените материал:

Комментарии

0 / 0
0 / 0

Прокомментировать







 

Горячие темы

 
 




Rambler's Top100
Руководителям  |  Разработчикам  |  Производителям  |  Снабженцам
© 2007 - 2019 Издательский дом Электроника
Использование любых бесплатных материалов разрешено, при условии наличия ссылки на сайт «Время электроники».
Создание сайтаFractalla Design | Сделано на CMS DJEM ®
Контакты