Вход |  Регистрация
 
 
Время электроники Вторник, 17 сентября
 
 


Это интересно!

Новости


Обзоры, аналитика


Интервью, презентации

Ранее

Google получит первую в мире лицензию на испытания «беспилотных» автомобилей

Управление транспортных средств штата Невада одобрило выдачу компании Google первой в своем роде лицензии на испытания управляемых автопилотом автомобилей на дорогах общего пользования.

Электронные наноустройства с предсказуемыми свойствами

Ученые из Школы физики при Университете Нового Южного Уэльса разработали метод, исключающий деформацию приповерхностных слоев арсенида галлия в присутствии ионизованных атомов кремния.

Фотодетектор на графене с квантовыми точками

Испанские ученые решили использовать комбинацию графена и квантовых точек для создания фотодетектора высокой чувствительности.

Реклама

По вопросам размещения рекламы обращайтесь в отдел рекламы

Реклама наших партнеров

 

20 мая 2012

Ученые Samsung создали сверхэффективный транзистор на базе графеновой пленки с барьером Шоттки

Корейские и американские физики разработали графеновый транзистор с крайне низким током утечки, так называемый барристор, и использовали его для создания нескольких простейших логических схем.

С

хемы на основе этого транзистора реализуют операцию инвертирования и сложения. Результаты опубликованы в журнале Science.

Максимальная производительность обычных кремниевых интегральных схем и их графеновых «наследников» ограничивается так называемыми токами утечки — «несанкционированным» движением электронов через транзисторы в выключенном состоянии. Утечка электронов генерирует тепловую энергию и вынуждает инженеров увеличивать напряжение тока, что еще раз усиливает нагрев микросхемы. Дальнейшая миниатюризация кремниевых транзисторов крайне затруднена из-за роста токов утечки.

Группа физиков под руководством Хюн-чона Чхуна (Hyun-Jong Chung) из Института технологий компании Samsung в городе Йонъин (Корея) разработала новую модель графенового транзистора, лишенного этой проблемы, реализовав эффект барьера Шоттки в графеновой электронике. Барьером Шоттки называется особый феномен, возникающий при контакте полупроводника с пластинкой из некоторых металлов. Высокая электропроводность металла и относительно низкая проницаемость полупроводника создают особый барьер на границе контакта, ускоряющий движение электронов из полупроводника в металл и препятствующий обратному току электричества. Данное свойство широко используется при создании выпрямителей тока, диодов и некоторых электронных приборов.

Чхун и его коллеги заметили, что комбинация из графеновой пленки и полупроводника обладает свойствами барьера Шоттки с некоторыми дополнительными положительными эффектами, которые не возникают при использовании обычных материалов. Они использовали открывшиеся им возможности для создания нового типа транзистора — графенового барристора.

Данное устройство представляет собой «слоеный пирог» из нескольких элементов — подложки из оксида кремния, трех золотых электродов, графеновой пленки, изолятора и специально обработанного кремния. В этом случае графен выступал в качестве металла, а кремний — в роли полупроводника. Физики изготовили экспериментальный прототип диода и убедились, что его свойства соответствуют тем, которые были предсказаны в результате компьютерного моделирования. После этого ученые «напечатали» несколько тысяч графеновых барристоров при помощи обычной технологии изготовления интегральных схем и использовали их для создания примитивных логических схем.

Как утверждают исследователи, такое устройство может работать как обычный полевой транзистор, на базе которых построено подавляющее большинство современных электронных приборов. По оценкам исследователей, отношение тока в транзисторе во включенном и выключенном состоянии составляет 10 тыс. к одному, что сближает его с прототипом графенового транзистора, который был представлен миру Константином Новоселовым и Андреем Геймом в феврале 2012 г.

«Результаты работы наших вычислителей (на базе барристоров) показали, что такие базовые элементы могут применяться доля создания высокоскоростных электронных приборов», — заключают авторы статьи.

Источник: РИА Новости

Читайте также:
Графен в электронике: сегодня и завтра
Фотодетектор на графене с квантовыми точками

Оцените материал:

Комментарии

0 / 0
0 / 0

Прокомментировать







 

Горячие темы

 
 




Rambler's Top100
Руководителям  |  Разработчикам  |  Производителям  |  Снабженцам
© 2007 - 2019 Издательский дом Электроника
Использование любых бесплатных материалов разрешено, при условии наличия ссылки на сайт «Время электроники».
Создание сайтаFractalla Design | Сделано на CMS DJEM ®
Контакты