Вход |  Регистрация
 
 
Время электроники Среда, 22 января
 
 

Это интересно!

Ранее

Плотность жестких дисков удвоится к 2016 г.

Максимальная поверхностная плотность записи в накопителях на жестких магнитных дисках (HDD) удвоится за период с 2011 по 2016 гг., что приведет к дальнейшему росту потребления в аудио- и видеосистемах, критичных к объему памяти.

Алмазы для электроники — новейшая продукция из Кремниевой долины

В столице полупроводниковой отрасли стали изготавливать алмазы для электроники. Компания Element Six провела церемонию официального открытия первого в США завода, намереваясь уже в июне запустить его мощности.

OIF создаст новые оптические интерфейсы для печатных плат и кристаллов

Организация Optical Internetworking Forum приступила к созданию трех спецификаций, определяющих последовательные интерфейсы со скоростями 50–56 Гбит/с, которые будут использоваться на печатных платах и внутри кристаллов.

Реклама

По вопросам размещения рекламы обращайтесь в отдел рекламы

Реклама наших партнеров

 

28 мая 2012

Мемристору – двести лет

Профессор Леон Чуа (Leon Chua), изобретатель мемристора – устройства с меняющимся сопротивлением и смыкающейся петлей гистерезиса, вместе с профессорами из Императорского колледжа в Лондоне доказал, что свойства мемристора наблюдались более 200 лет назад.

Т

ри академика опубликовали свои комментарии в последнем издании Nature Materials, озаглавив их «Two centuries of memristors» («Мемристорам – двести лет»).

Чуа вывел существование четвертого фундаментального пассивного электронного компонента как следствие из теоретических выкладок и придумал ему название «мемристор» в 1971 г. Компания Hewlett Packard воспользовалась этим термином, а в 2008 г. создала элемент электронной цепи с характеристиками мемристора на основе тонких пленок диоксида титана.

Системы с переменным сопротивлением можно построить на основе многих физических явлений, в т.ч. на явлении перемещения подвижных ионов или вакансий атомов кислорода, образования и разрыва проводящих нитей, а также фазовых переходов.

В своей статье Чуа и его коллеги Кристофер Тумазу (Christofer Toumazou) и Темистоклис Продомакис (Themistoklis Prodomakis) анализируют некоторые первые в истории науки фундаментальные эксперименты по электричеству и указывают на мемристорные свойства, например, электрической дуги в исследованиях Герты Айртон или термисторов Майкла Фарадея. Изыскания ученых коснулись и наиболее давних по времени экспериментов наставника Фарадея – сэра Хамфри Дэви, который в 1808 г. описал явление электрической дуги.

В заключение авторы статьи делают вывод о том, что мемристор – не плод воображения, а описание естественного феномена, который характеризует поведение многих диссипативных структур. Впервые этот феномен наблюдался гораздо раньше, чем состоялись дискуссии о резисторе (1827 г.) и дросселе (1831 г.).

Источник: EE Times

Читайте также:
Теория мемристора несостоятельна?
И снова — шумный спор о мемристорах
Мемристоры скоро заменят DRAM и флеш-память
Hewlett-Packard ответила на критику о несостоятельности теории мемристоров
HP и Hynix объединяются для коммерциализации мемристора

Оцените материал:

Комментарии

0 / 0
0 / 0

Прокомментировать







 

Горячие темы

 
 




Rambler's Top100
Руководителям  |  Разработчикам  |  Производителям  |  Снабженцам
© 2007 - 2020 Издательский дом Электроника
Использование любых бесплатных материалов разрешено, при условии наличия ссылки на сайт «Время электроники».
Создание сайтаFractalla Design | Сделано на CMS DJEM ®
Контакты